| Басу | Суреттеме |
| Бөлімнің күйі | Obsolete |
|---|---|
| FET түрі | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET ерекшелігі | Logic Level Gate |
| Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 25V |
| Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 18A, 31A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.7V @ 250µA |
| Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 2340pF @ 12.5V |
| Қуат - максимум | 2W, 2.2W |
| Жұмыс температурасы | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Монтаж түрі | Surface Mount |
| Пакет / Корпус | 8-WDFN Exposed Pad |
| Жабдықтаушының құрылғы пакеті | 8-DFN-EP (5x6) |
| Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
|---|---|
| Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
| Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
| Қор санаты | Қол жетімді қор |
