Басу | Суреттеме |
Бөлімнің күйі | Obsolete |
---|---|
FET түрі | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET ерекшелігі | Logic Level Gate |
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 25V |
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 15A, 26.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 1560pF @ 15V |
Қуат - максимум | 2W, 2.2W |
Жұмыс температурасы | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Монтаж түрі | Surface Mount |
Пакет / Корпус | 8-WDFN Exposed Pad |
Жабдықтаушының құрылғы пакеті | 8-DFN-EP (5x6) |
Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
---|---|
Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
Қор санаты | Қол жетімді қор |