Басу | Суреттеме |
Бөлімнің күйі | Active |
---|---|
FET түрі | P-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 30V |
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 15A (Ta), 70A (Tc) |
Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On) | 10V, 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7 mOhm @ 20A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 2760pF @ 15V |
FET ерекшелігі | - |
Қуатты бөлу (максимум) | 2.5W (Ta), 90W (Tc) |
Жұмыс температурасы | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Монтаж түрі | Through Hole |
Жабдықтаушының құрылғы пакеті | TO-251A |
Пакет / Корпус | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
---|---|
Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
Қор санаты | Қол жетімді қор |