| Басу | Суреттеме |
| Бөлімнің күйі | Preliminary |
|---|---|
| FET түрі | N and P-Channel |
| FET ерекшелігі | Standard |
| Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 30V |
| Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 7.5A (Ta), 5.6A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 7.5A, 10V, 42 mOhm @ 5.6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA, 1.3V @ 250µA |
| Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V, 12.2nC @ 4.5V |
| Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 15V, 1200pF @ 15V |
| Қуат - максимум | 2W |
| Жұмыс температурасы | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Монтаж түрі | Surface Mount |
| Пакет / Корпус | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Жабдықтаушының құрылғы пакеті | 8-SOIC |
| Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
|---|---|
| Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
| Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
| Қор санаты | Қол жетімді қор |
