Басу | Суреттеме |
Бөлімнің күйі | Active |
---|---|
FET түрі | P-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 30V |
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) |
Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±12V |
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 645pF @ 15V |
FET ерекшелігі | - |
Қуатты бөлу (максимум) | 1.4W (Ta) |
Жұмыс температурасы | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Монтаж түрі | Surface Mount |
Жабдықтаушының құрылғы пакеті | SOT-23-3 |
Пакет / Корпус | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
---|---|
Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
Қор санаты | Қол жетімді қор |