Басу | Суреттеме |
Бөлімнің күйі | Active |
---|---|
FET түрі | P-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 60V |
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 370mA (Ta) |
Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 Ohm @ 190mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 0.84nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 24.1pF @ 20V |
FET ерекшелігі | - |
Қуатты бөлу (максимум) | - |
Жұмыс температурасы | 150°C (TJ) |
Монтаж түрі | Surface Mount |
Жабдықтаушының құрылғы пакеті | 3-CPH |
Пакет / Корпус | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
---|---|
Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
Қор санаты | Қол жетімді қор |