Қашықтықты сезу: 0.315" (8mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.472" (12mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 60mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.394" (10mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 60mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.197" (5mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 100mA, Шығу түрі: Photodiode,