Қашықтықты сезу: 0.157" (4mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 32V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.079" ~ 0.984" (2mm ~ 25mm) ADJ, Зерттеу әдісі: Reflective, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 100mA, Шығу түрі: PIN Photodiode,
Қашықтықты сезу: 0.02" (0.5mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 20V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 100mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.591" (15mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 70V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 60mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.394" ~ 0.787" (10mm ~ 20mm) ADJ, Зерттеу әдісі: Reflective, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: PIN Photodiode,
Қашықтықты сезу: 0.197" (5mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 32V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Phototransistor,
