Жад | Интегралды микросхемалар (IC) | 3

TC58NVG0S3HBAI4

Қоршаған бөлік: 31647

Жад түрі: Non-Volatile, Жад форматы: FLASH, Технология: FLASH - NAND (SLC), Жад өлшемі: 1Gb (128M x 8), Жазу циклінің уақыты - сөз, бет: 25ns,

Тілектер тізімі

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG0S3HTA00

Қоршаған бөлік: 1188

Жад түрі: Non-Volatile, Жад форматы: FLASH, Технология: FLASH - NAND (SLC), Жад өлшемі: 1Gb (128M x 8), Жазу циклінің уақыты - сөз, бет: 25ns,

Тілектер тізімі

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NYG0S3HBAI6

Қоршаған бөлік: 2187

Жад түрі: Non-Volatile, Жад форматы: FLASH, Технология: FLASH - NAND (SLC), Жад өлшемі: 1Gb (128M x 8), Жазу циклінің уақыты - сөз, бет: 25ns,

Тілектер тізімі

Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG0S3HBAI4

Қоршаған бөлік: 31568

Жад түрі: Non-Volatile, Жад форматы: FLASH, Технология: FLASH - NAND (SLC), Жад өлшемі: 1Gb (128M x 8), Жазу циклінің уақыты - сөз, бет: 25ns,

Тілектер тізімі

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG0S3HBAI6

Қоршаған бөлік: 33157

Жад түрі: Non-Volatile, Жад форматы: FLASH, Технология: FLASH - NAND (SLC), Жад өлшемі: 1Gb (128M x 8), Жазу циклінің уақыты - сөз, бет: 25ns,

Тілектер тізімі

Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG0S3HTA00

Қоршаған бөлік: 33183

Жад түрі: Non-Volatile, Жад форматы: FLASH, Технология: FLASH - NAND (SLC), Жад өлшемі: 1Gb (128M x 8), Жазу циклінің уақыты - сөз, бет: 25ns,

Тілектер тізімі