Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±18mT, Кернеу - жабдықтау: 2.7V ~ 38V, Ағым - жабдықтау (максимум): 3.6mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±9mT, Кернеу - жабдықтау: 2.5V ~ 38V, Ағым - жабдықтау (максимум): 3.6mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±35mT, Кернеу - жабдықтау: 2.7V ~ 38V, Ағым - жабдықтау (максимум): 3.6mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±73mT, Кернеу - жабдықтау: 2.7V ~ 38V, Ағым - жабдықтау (максимум): 3.6mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±35mT, Кернеу - жабдықтау: 2.5V ~ 38V, Ағым - жабдықтау (максимум): 3.6mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±9mT, Кернеу - жабдықтау: 2.7V ~ 38V, Ағым - жабдықтау (максимум): 3.6mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±169mT, Кернеу - жабдықтау: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±85mT, Кернеу - жабдықтау: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±21mT, Кернеу - жабдықтау: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±42mT, Кернеу - жабдықтау: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±79mT, Кернеу - жабдықтау: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±39mT, Кернеу - жабдықтау: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±21mT, ±22mT, Кернеу - жабдықтау: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±73mT, Кернеу - жабдықтау: 2.5V ~ 38V, Ағым - жабдықтау (максимум): 3.6mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±158mT, Кернеу - жабдықтау: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±18mT, Кернеу - жабдықтау: 2.5V ~ 38V, Ағым - жабдықтау (максимум): 3.6mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±85mT, ±88mT, Кернеу - жабдықтау: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±42mT, ±44mT, Кернеу - жабдықтау: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,