Қозғалтқыш түрі - Stepper: Bipolar, Қозғалтқыш түрі - айнымалы, тұрақты: Brushed DC, Функция: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, Шығыс конфигурациясы: Half Bridge (2), Интерфейс: Parallel, Технология: DMOS,
Қозғалтқыш түрі - Stepper: Bipolar, Қозғалтқыш түрі - айнымалы, тұрақты: Brushed DC, Функция: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, Шығыс конфигурациясы: Half Bridge (4), Интерфейс: PWM, Технология: Power MOSFET,
Қозғалтқыш түрі - айнымалы, тұрақты: Brushed DC, Функция: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, Шығыс конфигурациясы: Half Bridge (2), Интерфейс: PWM, Технология: Power MOSFET,
Қозғалтқыш түрі - Stepper: Unipolar, Қозғалтқыш түрі - айнымалы, тұрақты: Brushed DC, Функция: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, Шығыс конфигурациясы: Low Side (8), Интерфейс: SPI, Технология: NMOS,
Қозғалтқыш түрі - айнымалы, тұрақты: Brushless DC (BLDC), Функция: Controller - Commutation, Direction Management, Шығыс конфигурациясы: Pre-Driver - Half Bridge (3), Интерфейс: Parallel, Технология: Power MOSFET, Power Darlington,
Қозғалтқыш түрі - айнымалы, тұрақты: Brushless DC (BLDC), Функция: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, Шығыс конфигурациясы: Half Bridge (3), Интерфейс: Analog, I²C, PWM, Технология: Power MOSFET,
Қозғалтқыш түрі - Stepper: Bipolar, Қозғалтқыш түрі - айнымалы, тұрақты: Brushed DC, Функция: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, Шығыс конфигурациясы: Half Bridge (4), Интерфейс: Parallel, Технология: Power MOSFET,
Қозғалтқыш түрі - айнымалы, тұрақты: Brushed DC, Функция: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, Шығыс конфигурациясы: Half Bridge (2), Интерфейс: PWM, Технология: Power MOSFET,
Қозғалтқыш түрі - айнымалы, тұрақты: Brushless DC (BLDC), Функция: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, Шығыс конфигурациясы: Half Bridge (3), Интерфейс: Analog, I²C, PWM, Технология: Power MOSFET,
Қозғалтқыш түрі - айнымалы, тұрақты: Brushed DC, Функция: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, Шығыс конфигурациясы: Half Bridge (2), Интерфейс: Parallel, Технология: DMOS,
Қозғалтқыш түрі - Stepper: Bipolar, Қозғалтқыш түрі - айнымалы, тұрақты: Brushed DC, Функция: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, Шығыс конфигурациясы: Half Bridge (4), Интерфейс: Parallel, Технология: Power MOSFET,
Қозғалтқыш түрі - айнымалы, тұрақты: ERM, LRA, Функция: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, Шығыс конфигурациясы: Half Bridge (2), Интерфейс: I²C, Технология: Power MOSFET,
Қозғалтқыш түрі - Stepper: Bipolar, Қозғалтқыш түрі - айнымалы, тұрақты: Brushed DC, Функция: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, Шығыс конфигурациясы: Half Bridge (2), Интерфейс: Parallel, Технология: DMOS,
Қозғалтқыш түрі - Stepper: Bipolar, Қозғалтқыш түрі - айнымалы, тұрақты: Brushed DC, Функция: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, Шығыс конфигурациясы: Half Bridge (4), Интерфейс: Parallel, Технология: Power MOSFET,
Қозғалтқыш түрі - Stepper: Bipolar, Қозғалтқыш түрі - айнымалы, тұрақты: Brushed DC, Функция: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, Шығыс конфигурациясы: Half Bridge (4), Интерфейс: Parallel, Технология: Power MOSFET,
Қозғалтқыш түрі - Stepper: Multiphase, Қозғалтқыш түрі - айнымалы, тұрақты: Brushless DC (BLDC), Функция: Controller - Commutation, Direction Management, Шығыс конфигурациясы: Half Bridge (3), Интерфейс: SPI, Технология: Power MOSFET,
Қозғалтқыш түрі - Stepper: Bipolar, Қозғалтқыш түрі - айнымалы, тұрақты: Brushed DC, Функция: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, Шығыс конфигурациясы: Half Bridge (8), Интерфейс: Serial, Технология: Power MOSFET,
Қозғалтқыш түрі - Stepper: Unipolar, Қозғалтқыш түрі - айнымалы, тұрақты: Brushed DC, Функция: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, Шығыс конфигурациясы: Low Side (4), Интерфейс: Parallel, Технология: Power MOSFET,
Қозғалтқыш түрі - айнымалы, тұрақты: Brushless DC (BLDC), Функция: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, Шығыс конфигурациясы: Half Bridge (3), Интерфейс: Analog, I²C, PWM, Технология: Power MOSFET,
Қозғалтқыш түрі - Stepper: Bipolar, Қозғалтқыш түрі - айнымалы, тұрақты: Brushed DC, Функция: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, Шығыс конфигурациясы: Half Bridge (4), Интерфейс: Parallel, Технология: Bipolar,
Қозғалтқыш түрі - Stepper: Unipolar, Қозғалтқыш түрі - айнымалы, тұрақты: Brushed DC, Функция: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, Шығыс конфигурациясы: Low Side (4), Интерфейс: Logic, Технология: Power MOSFET,
Қозғалтқыш түрі - айнымалы, тұрақты: Brushed DC, Функция: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, Шығыс конфигурациясы: Half Bridge (2), Интерфейс: Parallel, Технология: Power MOSFET,
Қозғалтқыш түрі - айнымалы, тұрақты: ERM, LRA, Функция: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, Шығыс конфигурациясы: Half Bridge (2), Интерфейс: I²C, Технология: Power MOSFET,
Қозғалтқыш түрі - Stepper: Bipolar, Функция: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, Шығыс конфигурациясы: Half Bridge (4), Интерфейс: Logic, Технология: Power MOSFET,
Қозғалтқыш түрі - Stepper: Bipolar, Қозғалтқыш түрі - айнымалы, тұрақты: Brushed DC, Функция: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, Шығыс конфигурациясы: Half Bridge (4), Интерфейс: Logic, Технология: Power MOSFET,
Қозғалтқыш түрі - Stepper: Bipolar, Қозғалтқыш түрі - айнымалы, тұрақты: Brushed DC, Функция: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, Шығыс конфигурациясы: Half Bridge (2), Интерфейс: Parallel, Технология: DMOS,
Қозғалтқыш түрі - Stepper: Bipolar, Қозғалтқыш түрі - айнымалы, тұрақты: Brushed DC, Функция: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, Шығыс конфигурациясы: Half Bridge (4), Интерфейс: Parallel, Технология: Power MOSFET,
Қозғалтқыш түрі - Stepper: Unipolar, Қозғалтқыш түрі - айнымалы, тұрақты: Brushed DC, Функция: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage, Шығыс конфигурациясы: Half Bridge (2), Интерфейс: PWM, Технология: NMOS,
