Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз

Үй
Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM1N80CW RPG

Қоршаған бөлік: 130

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 800V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.6 Ohm @ 150mA, 10V,

Тілектер тізімі

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM4806CS RLG

Қоршаған бөлік: 220

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 28A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 20A, 4.5V,

Тілектер тізімі

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM4NC50CP ROG

Қоршаған бөлік: 241

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 1.7A, 10V,

Тілектер тізімі

TSM160P04LCRHRLG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM160P04LCRHRLG

Қоршаған бөлік: 272

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 51A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 10A, 10V,

Тілектер тізімі

TSM10NC60CF C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM10NC60CF C0G

Қоршаған бөлік: 246

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 2.5A, 10V,

Тілектер тізімі

TSM500P02CX RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM500P02CX RFG

Қоршаған бөлік: 214

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4.7A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3A, 4.5V,

Тілектер тізімі

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM126CX RFG

Қоршаған бөлік: 281

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 30mA (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 Ohm @ 16mA, 10V,

Тілектер тізімі

TSM900N06CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM900N06CP ROG

Қоршаған бөлік: 253

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 6A, 10V,

Тілектер тізімі

TSM042N03CS RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM042N03CS RLG

Қоршаған бөлік: 256

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 12A, 10V,

Тілектер тізімі

TSM2N7000KCT A3G

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM2N7000KCT A3G

Қоршаған бөлік: 196

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 100mA, 10V,

Тілектер тізімі

TSM950N10CW RPG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM950N10CW RPG

Қоршаған бөлік: 278

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 5A, 10V,

Тілектер тізімі

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60N06CP ROG

Қоршаған бөлік: 291

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 66A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3 mOhm @ 30A, 10V,

Тілектер тізімі

TSM061NA03CR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM061NA03CR RLG

Қоршаған бөлік: 287

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 88A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1 mOhm @ 16A, 10V,

Тілектер тізімі

TSM120N06LCR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM120N06LCR RLG

Қоршаған бөлік: 274

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 54A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 10A, 10V,

Тілектер тізімі

TSM650P03CX RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM650P03CX RFG

Қоршаған бөлік: 319

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4.1A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 4A, 10V,

Тілектер тізімі

TSM60NB190CZ C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60NB190CZ C0G

Қоршаған бөлік: 315

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 6A, 10V,

Тілектер тізімі

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM4NB60CH X0G

Қоршаған бөлік: 210

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 2A, 10V,

Тілектер тізімі

TSM033NA03CR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM033NA03CR RLG

Қоршаған бөлік: 257

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 129A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 21A, 10V,

Тілектер тізімі

TSM061NA03CV RGG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM061NA03CV RGG

Қоршаған бөлік: 261

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 66A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1 mOhm @ 16A, 10V,

Тілектер тізімі

TSM680P06CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM680P06CP ROG

Қоршаған бөлік: 207

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 6A, 10V,

Тілектер тізімі

TSM900N10CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM900N10CP ROG

Қоршаған бөлік: 212

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 5A, 10V,

Тілектер тізімі

TSM170N06PQ56 RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM170N06PQ56 RLG

Қоршаған бөлік: 244

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 44A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 8A, 10V,

Тілектер тізімі

TSM80N1R2CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM80N1R2CP ROG

Қоршаған бөлік: 253

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 800V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.75A, 10V,

Тілектер тізімі

TSM650N15CR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM650N15CR RLG

Қоршаған бөлік: 310

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 150V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 4A, 10V,

Тілектер тізімі

TSM60NB600CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60NB600CP ROG

Қоршаған бөлік: 324

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 2.1A, 10V,

Тілектер тізімі

TSM60NB1R4CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM60NB1R4CP ROG

Қоршаған бөлік: 249

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 900mA, 10V,

Тілектер тізімі

TSM120N06LCP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM120N06LCP ROG

Қоршаған бөлік: 275

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 10A, 10V,

Тілектер тізімі

TSM160N10LCR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM160N10LCR RLG

Қоршаған бөлік: 271

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 46A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 8A, 10V,

Тілектер тізімі

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM05N03CW RPG

Қоршаған бөлік: 318

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 5A, 10V,

Тілектер тізімі

TSM160P02CS RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM160P02CS RLG

Қоршаған бөлік: 296

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 6A, 4.5V,

Тілектер тізімі

TSM020N04LCR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM020N04LCR RLG

Қоршаған бөлік: 234

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 170A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 27A, 10V,

Тілектер тізімі

TSM150P03PQ33 RGG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM150P03PQ33 RGG

Қоршаған бөлік: 257

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 36A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 10A, 10V,

Тілектер тізімі

TSM060N03CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM060N03CP ROG

Қоршаған бөлік: 284

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 20A, 10V,

Тілектер тізімі

TSM170N06CH C5G

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM170N06CH C5G

Қоршаған бөлік: 335

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 38A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 20A, 10V,

Тілектер тізімі

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM2N100CP ROG

Қоршаған бөлік: 410

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 1000V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 1.85A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 Ohm @ 900mA, 10V,

Тілектер тізімі

TSM70N380CH C5G

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM70N380CH C5G

Қоршаған бөлік: 360

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 700V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 3.3A, 10V,

Тілектер тізімі

276

«
1
2
3
4
5
6
7
8
»