Menu
ҚазақшаҚазақша
RFQ / Тапсырыс
0RFQ / Тапсырыс

Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз

  • Үй
  •  
  • Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз
STS11N3LLH5
STMicroelectronics

STS11N3LLH5

Қоршаған бөлік: 174457

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 5.5A, 10V,

Тілектер тізімі
STD7NM64N
STMicroelectronics

STD7NM64N

Қоршаған бөлік: 73948

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 640V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 2.5A, 10V,

Тілектер тізімі
STD12NM50ND
STMicroelectronics

STD12NM50ND

Қоршаған бөлік: 39640

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 5.5A, 10V,

Тілектер тізімі
STB11N52K3
STMicroelectronics

STB11N52K3

Қоршаған бөлік: 1428

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 525V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510 mOhm @ 5A, 10V,

Тілектер тізімі
STP16NF25
STMicroelectronics

STP16NF25

Қоршаған бөлік: 1505

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 250V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235 mOhm @ 6.5A, 10V,

Тілектер тізімі
STD2NK90ZT4
STMicroelectronics

STD2NK90ZT4

Қоршаған бөлік: 104761

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 900V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2.1A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 Ohm @ 1.05A, 10V,

Тілектер тізімі
STB26NM60ND
STMicroelectronics

STB26NM60ND

Қоршаған бөлік: 1513

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 21A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 10.5A, 10V,

Тілектер тізімі
STS6NF20V
STMicroelectronics

STS6NF20V

Қоршаған бөлік: 162931

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.95V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 3A, 4.5V,

Тілектер тізімі
STD6NF10T4
STMicroelectronics

STD6NF10T4

Қоршаған бөлік: 164549

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 3A, 10V,

Тілектер тізімі
STS1NK60Z
STMicroelectronics

STS1NK60Z

Қоршаған бөлік: 154185

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 250mA (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 400mA, 10V,

Тілектер тізімі
STD105N10F7AG
STMicroelectronics

STD105N10F7AG

Қоршаған бөлік: 34932

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 40A, 10V,

Тілектер тізімі
STD5N52U
STMicroelectronics

STD5N52U

Қоршаған бөлік: 113312

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 525V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4.4A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.2A, 10V,

Тілектер тізімі
STH400N4F6-2
STMicroelectronics

STH400N4F6-2

Қоршаған бөлік: 15167

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 180A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15 mOhm @ 60A, 10V,

Тілектер тізімі
STDLED625H
STMicroelectronics

STDLED625H

Қоршаған бөлік: 105739

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 620V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1.9A, 10V,

Тілектер тізімі
STH180N10F3-6
STMicroelectronics

STH180N10F3-6

Қоршаған бөлік: 1520

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 180A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 60A, 10V,

Тілектер тізімі
STD2N95K5
STMicroelectronics

STD2N95K5

Қоршаған бөлік: 121971

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 950V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 1A, 10V,

Тілектер тізімі
STP26NM60N
STMicroelectronics

STP26NM60N

Қоршаған бөлік: 15690

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 10A, 10V,

Тілектер тізімі
STD2N80K5
STMicroelectronics

STD2N80K5

Қоршаған бөлік: 132100

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 800V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 1A, 10V,

Тілектер тізімі
STU8NM50N
STMicroelectronics

STU8NM50N

Қоршаған бөлік: 36465

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 790 mOhm @ 2.5A, 10V,

Тілектер тізімі
STU5N62K3
STMicroelectronics

STU5N62K3

Қоршаған бөлік: 38797

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 620V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4.2A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 2.1A, 10V,

Тілектер тізімі
STS4DNFS30
STMicroelectronics

STS4DNFS30

Қоршаған бөлік: 41664

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2A, 10V,

Тілектер тізімі
STU9HN65M2
STMicroelectronics

STU9HN65M2

Қоршаған бөлік: 56825

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 650V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820 mOhm @ 2.5A, 10V,

Тілектер тізімі
STD4NK50ZD
STMicroelectronics

STD4NK50ZD

Қоршаған бөлік: 1560

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 1.5A, 10V,

Тілектер тізімі
STD11NM65N
STMicroelectronics

STD11NM65N

Қоршаған бөлік: 49123

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 650V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455 mOhm @ 5.5A, 10V,

Тілектер тізімі
STL16N65M5
STMicroelectronics

STL16N65M5

Қоршаған бөлік: 1500

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 650V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299 mOhm @ 6A, 10V,

Тілектер тізімі
STB200N6F3
STMicroelectronics

STB200N6F3

Қоршаған бөлік: 1548

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 60A, 10V,

Тілектер тізімі
STP75NF20
STMicroelectronics

STP75NF20

Қоршаған бөлік: 12306

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 37A, 10V,

Тілектер тізімі
STB130N6F7
STMicroelectronics

STB130N6F7

Қоршаған бөлік: 60416

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 40A, 10V,

Тілектер тізімі
STL25N15F3
STMicroelectronics

STL25N15F3

Қоршаған бөлік: 41513

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 150V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 3A, 10V,

Тілектер тізімі
STS13N3LLH5
STMicroelectronics

STS13N3LLH5

Қоршаған бөлік: 98336

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 6.5A, 10V,

Тілектер тізімі
STU3LN80K5
STMicroelectronics

STU3LN80K5

Қоршаған бөлік: 63227

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 800V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25 Ohm @ 1A, 10V,

Тілектер тізімі
STK820
STMicroelectronics

STK820

Қоршаған бөлік: 52221

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 21A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3 mOhm @ 10.5A, 10V,

Тілектер тізімі
STL40N75LF3
STMicroelectronics

STL40N75LF3

Қоршаған бөлік: 58033

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 75V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 20A, 10V,

Тілектер тізімі
STL120N4F6AG
STMicroelectronics

STL120N4F6AG

Қоршаған бөлік: 93092

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 55A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 13A, 10V,

Тілектер тізімі
STR2N2VH5
STMicroelectronics

STR2N2VH5

Қоршаған бөлік: 116047

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 2A, 4.5V,

Тілектер тізімі
STD155N3H6
STMicroelectronics

STD155N3H6

Қоршаған бөлік: 70537

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 40A, 10V,

Тілектер тізімі