Оптикалық сенсорлар - Фотоинтертерлер - Ұяшық түрі

GP1S56TJ000F

Қоршаған бөлік: 6037

Қашықтықты сезу: 0.079" (2mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V,

GP1S092HCPI

Қоршаған бөлік: 6077

Қашықтықты сезу: 0.079" (2mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V,

GP1S39J0000F

Қоршаған бөлік: 5998

Қашықтықты сезу: 0.059" (1.5mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V,

GP1S58V

Қоршаған бөлік: 9689

Қашықтықты сезу: 0.197" (5mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V,

GP1S25

Қоршаған бөлік: 5983

Қашықтықты сезу: 0.063" (1.6mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V,

GP1S560J000F

Қоршаған бөлік: 9600

Қашықтықты сезу: 0.079" (2mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V,

GP1L52V

Қоршаған бөлік: 5942

Қашықтықты сезу: 0.118" (3mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Photodarlington, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 40mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V,

GP1S093HCZ

Қоршаған бөлік: 6033

Қашықтықты сезу: 0.079" (2mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V,

GP1L57

Қоршаған бөлік: 9614

Қашықтықты сезу: 0.394" (10mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Photodarlington, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 40mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V,

GP1S560

Қоршаған бөлік: 6018

Қашықтықты сезу: 0.079" (2mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V,

GP1S25J0000F

Қоршаған бөлік: 6086

Қашықтықты сезу: 0.063" (1.6mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V,

GP1S58VJ000F

Қоршаған бөлік: 56854

Қашықтықты сезу: 0.197" (5mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V,

GP1S74P

Қоршаған бөлік: 5987

Қашықтықты сезу: 0.197" (5mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V,

GP1L53V

Қоршаған бөлік: 6051

Қашықтықты сезу: 0.197" (5mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Photodarlington, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 40mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V,

GP1S73P

Қоршаған бөлік: 6115

Қашықтықты сезу: 0.197" (5mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V,

GP1S561

Қоршаған бөлік: 6031

Қашықтықты сезу: 0.118" (3mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V,

GP1S196HCZSF

Қоршаған бөлік: 6066

Қашықтықты сезу: 0.043" (1.1mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 30mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V,

GP1S56T

Қоршаған бөлік: 6022

Қашықтықты сезу: 0.079" (2mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V,

GP1S097HCZ0F

Қоршаған бөлік: 101705

Қашықтықты сезу: 0.079" (2mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V,

GP1S59

Қоршаған бөлік: 6127

Қашықтықты сезу: 0.165" (4.2mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V,

GP1S74PJ000F

Қоршаған бөлік: 5965

Қашықтықты сезу: 0.197" (5mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V,

GP1S52V

Қоршаған бөлік: 6012

Қашықтықты сезу: 0.118" (3mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V,

GP1S097HCZ

Қоршаған бөлік: 5970

Қашықтықты сезу: 0.079" (2mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V,

GP1S094HCZ

Қоршаған бөлік: 9672

Қашықтықты сезу: 0.118" (3mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V,

GP1L52VJ000F

Қоршаған бөлік: 5990

Қашықтықты сезу: 0.118" (3mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Photodarlington, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 40mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V,

GP1S95

Қоршаған бөлік: 5977

Қашықтықты сезу: 0.063" (1.6mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V,

GP1S096HCZ

Қоршаған бөлік: 9698

Қашықтықты сезу: 0.039" (1mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V,

GP1S096HCZ0F

Қоршаған бөлік: 5977

Қашықтықты сезу: 0.039" (1mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V,

GP1S51V

Қоршаған бөлік: 6061

Қашықтықты сезу: 0.118" (3mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V,

GP1S53V

Қоршаған бөлік: 5992

Қашықтықты сезу: 0.197" (5mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V,

GP1S73P2

Қоршаған бөлік: 6058

Қашықтықты сезу: 0.197" (5mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V,

GP1S525V

Қоршаған бөлік: 83304

Қашықтықты сезу: 0.197" (5mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 20mA,

GP1S73P2J00F

Қоршаған бөлік: 6125

Қашықтықты сезу: 0.197" (5mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V,

GP1S95J0000F

Қоршаған бөлік: 6002

Қашықтықты сезу: 0.063" (1.6mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V,

GP1S73PJ000F

Қоршаған бөлік: 6019

Қашықтықты сезу: 0.197" (5mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V,

GP1S273LCS1F

Қоршаған бөлік: 5961