Транзисторлар - биполярлық (BJT) - массивтер | Дискретті жартылай өткізгіш өнімдер | 3

UMX4NTR

Қоршаған бөлік: 184327

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 20V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 20mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 500nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 10V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

EMZ7T2R

Қоршаған бөлік: 167602

Транзистор түрі: NPN, PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 12V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

IMT1AT110

Қоршаған бөлік: 183335

Транзистор түрі: 2 PNP (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

FMY5T148

Қоршаған бөлік: 168226

Транзистор түрі: NPN, PNP (Emitter Coupled), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 120V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 500nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

IMX8T108

Қоршаған бөлік: 127197

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 120V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 500nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

IMX17T110

Қоршаған бөлік: 6501

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

EMT51T2R

Қоршаған бөлік: 167143

Транзистор түрі: 2 PNP (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 200mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 20V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

VT6Z1T2R

Қоршаған бөлік: 197894

Транзистор түрі: NPN, PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 200mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 20V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

VT6Z2T2R

Қоршаған бөлік: 111680

Транзистор түрі: NPN, PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

UMT1NTN

Қоршаған бөлік: 122570

Транзистор түрі: 2 PNP (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

IMT17T208

Қоршаған бөлік: 4427

Транзистор түрі: 2 PNP (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

EMT2T2R

Қоршаған бөлік: 154657

Транзистор түрі: 2 PNP (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

UMX2NTR

Қоршаған бөлік: 153636

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

FMY1AT148

Қоршаған бөлік: 185011

Транзистор түрі: NPN, PNP (Emitter Coupled), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

EMZ51T2R

Қоршаған бөлік: 190963

Транзистор түрі: NPN, PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 200mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 20V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

MP6Z13TR

Қоршаған бөлік: 4465

Транзистор түрі: NPN, PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 3A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A / 400mV @ 50mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

QSZ3TR

Қоршаған бөлік: 4437

Транзистор түрі: NPN, PNP (Emitter Coupled), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 3A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 12V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 30mA, 1.5A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 500mA, 2V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

EMT3T2R

Қоршаған бөлік: 146529

Транзистор түрі: 2 PNP (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

EMX3T2R

Қоршаған бөлік: 118568

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

QSZ4TR

Қоршаған бөлік: 122850

Транзистор түрі: NPN, PNP (Emitter Coupled), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 2A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 75mA, 1.5A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

QS5Y1TR

Қоршаған бөлік: 100753

Транзистор түрі: NPN, PNP (Emitter Coupled), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 3A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

QSX7TR

Қоршаған бөлік: 133111

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1.5A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 12V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

FMW1T148

Қоршаған бөлік: 193173

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

FMY4AT148

Қоршаған бөлік: 115359

Транзистор түрі: NPN, PNP Complementary Darlington, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

EMX5T2R

Қоршаған бөлік: 132191

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 11V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 500nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

US6T9TR

Қоршаған бөлік: 144882

Транзистор түрі: 2 PNP (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

QSX8TR

Қоршаған бөлік: 124260

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

IMX5T108

Қоршаған бөлік: 149748

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 11V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 500nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

QS6Z5TR

Қоршаған бөлік: 158820

Транзистор түрі: NPN, PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA / 400mV @ 25mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

QS5W2TR

Қоршаған бөлік: 188842

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual) Common Emitter, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 3A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

IMX17T108

Қоршаған бөлік: 170021

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

IMX3T108

Қоршаған бөлік: 188015

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

IMZ2AT108

Қоршаған бөлік: 189718

Транзистор түрі: NPN, PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

IMX1T108

Қоршаған бөлік: 134514

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

QSZ2TR

Қоршаған бөлік: 151664

Транзистор түрі: NPN, PNP (Emitter Coupled), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1.5A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A / 370mV @ 50mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

IMZ4T108

Қоршаған бөлік: 137089

Транзистор түрі: NPN, PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 32V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

Тілектер тізімі