Транзисторлар - биполярлы (BJT) - жалғыз, алдын-ал

Үй
Транзисторлар - биполярлы (BJT) - жалғыз, алдын-ал

Rohm Semiconductor

DTA024XUBTL

Қоршаған бөлік: 138997

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

DTA123ECAT116

Қоршаған бөлік: 166219

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 2.2 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

DTA023EMT2L

Қоршаған бөлік: 111347

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 2.2 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 10V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

DTB543EETL

Қоршаған бөлік: 114078

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 12V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

DTA143ZU3T106

Қоршаған бөлік: 111

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased + Diode, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

DTA114YCAHZGT116

Rohm Semiconductor

DTA114YCAHZGT116

Қоршаған бөлік: 114

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

DTD114GKT146

Қоршаған бөлік: 188863

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

DTC015TMT2L

Қоршаған бөлік: 108165

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 100 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

DTA143ECAHZGT116

Rohm Semiconductor

DTA143ECAHZGT116

Қоршаған бөлік: 93

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

DTC115EKAT146

Қоршаған бөлік: 175463

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 100 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 100 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

DTD543ZMT2L

Қоршаған бөлік: 108151

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 12V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

DTC124GUAT106

Қоршаған бөлік: 164490

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 22 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

DTC115EMT2L

Қоршаған бөлік: 156750

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 100 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 100 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі

DTC114TCAHZGT116

Rohm Semiconductor

DTC114TCAHZGT116

Қоршаған бөлік: 119

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased + Diode, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі

DTA144ECAHZGT116

Rohm Semiconductor

DTA144ECAHZGT116

Қоршаған бөлік: 117

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

DTD114ESTP

Қоршаған бөлік: 2207

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

DTB123ESTP

Қоршаған бөлік: 2234

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 2.2 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

DTA143ESATP

Қоршаған бөлік: 2267

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

DTC114TSATP

Қоршаған бөлік: 2234

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

DTC144TSATP

Қоршаған бөлік: 2260

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

DTA113ZSATP

Қоршаған бөлік: 2209

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 1 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

DTC143XSATP

Қоршаған бөлік: 2200

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

DTA143TSATP

Қоршаған бөлік: 3267

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

DTC143ZSATP

Қоршаған бөлік: 2259

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

DTA114ESATP

Қоршаған бөлік: 2264

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

DTC123JSATP

Қоршаған бөлік: 2277

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

DTC363TKT146

Қоршаған бөлік: 2220

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 600mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 15V, Резистор - негіз (R1): 6.8 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

DTC614TKT146

Қоршаған бөлік: 108948

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 600mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 20V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 50mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

DTA114WSATP

Қоршаған бөлік: 3246

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

DTC143ESATP

Қоршаған бөлік: 2210

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

DTDG23YPT100

Қоршаған бөлік: 169941

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 60V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 22 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

DTC143TSATP

Қоршаған бөлік: 2231

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

DTB143ESTP

Қоршаған бөлік: 3316

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

DTA124ESATP

Қоршаған бөлік: 2267

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 22 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

DTC124ESATP

Қоршаған бөлік: 2239

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 22 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

DTA144ESATP

Қоршаған бөлік: 2212

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі

561

«
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
»