Menu
ҚазақшаҚазақша
RFQ / Тапсырыс
0RFQ / Тапсырыс

Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз

  • Үй
  •  
  • Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз
RS1E130GNTB
Rohm Semiconductor

RS1E130GNTB

Қоршаған бөлік: 112458

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7 mOhm @ 13A, 10V,

Тілектер тізімі
RQ3E120ATTB
Rohm Semiconductor

RQ3E120ATTB

Қоршаған бөлік: 117527

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 12A, 10V,

Тілектер тізімі
RQ3E130BNTB
Rohm Semiconductor

RQ3E130BNTB

Қоршаған бөлік: 197991

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 13A, 10V,

Тілектер тізімі
RS1G180MNTB
Rohm Semiconductor

RS1G180MNTB

Қоршаған бөлік: 118932

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), 80A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 18A, 10V,

Тілектер тізімі
RQ3G150GNTB
Rohm Semiconductor

RQ3G150GNTB

Қоршаған бөлік: 147186

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 39A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 15A, 10V,

Тілектер тізімі
RS1E180BNTB
Rohm Semiconductor

RS1E180BNTB

Қоршаған бөлік: 170368

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 18A, 10V,

Тілектер тізімі
R6011KNJTL
Rohm Semiconductor

R6011KNJTL

Қоршаған бөлік: 69650

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 3.8A, 10V,

Тілектер тізімі
R6007ENJTL
Rohm Semiconductor

R6007ENJTL

Қоршаған бөлік: 83511

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 2.4A, 10V,

Тілектер тізімі
RF4E080BNTR
Rohm Semiconductor

RF4E080BNTR

Қоршаған бөлік: 151313

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6 mOhm @ 8A, 10V,

Тілектер тізімі
RTQ020N05TR
Rohm Semiconductor

RTQ020N05TR

Қоршаған бөлік: 125816

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 45V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 2A, 4.5V,

Тілектер тізімі
RQ3G100GNTB
Rohm Semiconductor

RQ3G100GNTB

Қоршаған бөлік: 168715

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3 mOhm @ 10A, 10V,

Тілектер тізімі
RS1E280BNTB
Rohm Semiconductor

RS1E280BNTB

Қоршаған бөлік: 137810

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 28A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 28A, 10V,

Тілектер тізімі
RQ3E120BNTB
Rohm Semiconductor

RQ3E120BNTB

Қоршаған бөлік: 191852

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 12A, 10V,

Тілектер тізімі
RSJ550N10TL
Rohm Semiconductor

RSJ550N10TL

Қоршаған бөлік: 35231

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 55A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.8 mOhm @ 27.5A, 10V,

Тілектер тізімі
RSJ650N10TL
Rohm Semiconductor

RSJ650N10TL

Қоршаған бөлік: 21622

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 65A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 32.5A, 10V,

Тілектер тізімі
R6015ENJTL
Rohm Semiconductor

R6015ENJTL

Қоршаған бөлік: 38091

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 6.5A, 10V,

Тілектер тізімі
RS1E240BNTB
Rohm Semiconductor

RS1E240BNTB

Қоршаған бөлік: 155066

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 24A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 24A, 10V,

Тілектер тізімі
R6035KNZ1C9
Rohm Semiconductor

R6035KNZ1C9

Қоршаған бөлік: 12661

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102 mOhm @ 18.1A, 10V,

Тілектер тізімі
RCX330N25
Rohm Semiconductor

RCX330N25

Қоршаған бөлік: 36146

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 250V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 33A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V,

Тілектер тізімі
RQ6E050ATTCR
Rohm Semiconductor

RQ6E050ATTCR

Қоршаған бөлік: 102294

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5A, 10V,

Тілектер тізімі
RQ3E080BNTB
Rohm Semiconductor

RQ3E080BNTB

Қоршаған бөлік: 113311

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2 mOhm @ 8A, 10V,

Тілектер тізімі
RSJ151P10TL
Rohm Semiconductor

RSJ151P10TL

Қоршаған бөлік: 114135

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 15A, 10V,

Тілектер тізімі
RQ3L050GNTB
Rohm Semiconductor

RQ3L050GNTB

Қоршаған бөлік: 140584

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61 mOhm @ 5A, 10V,

Тілектер тізімі
RQ3E150BNTB
Rohm Semiconductor

RQ3E150BNTB

Қоршаған бөлік: 120854

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 15A, 10V,

Тілектер тізімі
RQ3E180AJTB
Rohm Semiconductor

RQ3E180AJTB

Қоршаған бөлік: 164284

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), 30A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 18A, 4.5V,

Тілектер тізімі
RF4E070GNTR
Rohm Semiconductor

RF4E070GNTR

Қоршаған бөлік: 155367

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4 mOhm @ 7A, 10V,

Тілектер тізімі
RS1E150GNTB
Rohm Semiconductor

RS1E150GNTB

Қоршаған бөлік: 183764

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 15A, 10V,

Тілектер тізімі
RQ3E180BNTB
Rohm Semiconductor

RQ3E180BNTB

Қоршаған бөлік: 165998

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 39A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 18A, 10V,

Тілектер тізімі
RRQ020P03TCR
Rohm Semiconductor

RRQ020P03TCR

Қоршаған бөлік: 164666

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2A, 10V,

Тілектер тізімі
RF4E110GNTR
Rohm Semiconductor

RF4E110GNTR

Қоршаған бөлік: 183000

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3 mOhm @ 11A, 10V,

Тілектер тізімі
RQ3E080GNTB
Rohm Semiconductor

RQ3E080GNTB

Қоршаған бөлік: 136768

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.7 mOhm @ 8A, 10V,

Тілектер тізімі
R6007KNJTL
Rohm Semiconductor

R6007KNJTL

Қоршаған бөлік: 83551

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 2.4A, 10V,

Тілектер тізімі
RS1E350BNTB
Rohm Semiconductor

RS1E350BNTB

Қоршаған бөлік: 97681

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 35A, 10V,

Тілектер тізімі
RF4E075ATTCR
Rohm Semiconductor

RF4E075ATTCR

Қоршаған бөлік: 118298

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.7 mOhm @ 7.5A, 10V,

Тілектер тізімі
RCJ450N20TL
Rohm Semiconductor

RCJ450N20TL

Қоршаған бөлік: 49874

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 45A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 22.5A, 10V,

Тілектер тізімі
RSJ250P10FRATL
Rohm Semiconductor

RSJ250P10FRATL

Қоршаған бөлік: 137

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі