Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз | Дискретті жартылай өткізгіш өнімдер | 18

RSD200N10TL

Қоршаған бөлік: 680

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 10A, 10V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

RDN080N25FU6

Қоршаған бөлік: 718

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 250V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 4A, 10V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

RDN150N20FU6

Қоршаған бөлік: 40140

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 7.5A, 10V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

RDN120N25FU6

Қоршаған бөлік: 809

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 250V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 6A, 10V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

RRS070N03TB1

Қоршаған бөлік: 6081

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

RSS070P05FU6TB

Қоршаған бөлік: 77017

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 45V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 7A, 10V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

RSS070N05FU6TB

Қоршаған бөлік: 120168

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 45V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 10V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

RRS125N03TB1

Қоршаған бөлік: 460

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 12.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 12.5A, 10V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

RSS060P05FU6TB

Қоршаған бөлік: 95372

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 45V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 6A, 10V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

RDX045N60FU6

Қоршаған бөлік: 465

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 Ohm @ 2.25A, 10V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

RDX080N50FU6

Қоршаған бөлік: 18589

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4A, 10V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

RDX050N50FU6

Қоршаған бөлік: 546

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

RSS085N05FU6TB

Қоршаған бөлік: 101405

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 45V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 8.5A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8.5A, 10V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

RRS110N03TB1

Қоршаған бөлік: 493

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6 mOhm @ 11A, 10V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

RSS065N06FU6TB

Қоршаған бөлік: 119505

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 6.5A, 10V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

RRS100N03TB1

Қоршаған бөлік: 517

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta),

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

RDX060N60FU6

Қоршаған бөлік: 548

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3A, 10V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

RDX120N50FU6

Қоршаған бөлік: 514

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 6A, 10V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

RDX100N60FU6

Қоршаған бөлік: 11967

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 5A, 10V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

RRS130N03TB1

Қоршаған бөлік: 533

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 13A, 10V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

RJP020N06T100

Қоршаған бөлік: 183374

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 2A, 4.5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

RSD201N10TL

Қоршаған бөлік: 182370

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 20A, 10V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

RSH070P05GZETB

Қоршаған бөлік: 97166

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 45V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 7A, 10V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

SCT2120AFC

Қоршаған бөлік: 8147

FET түрі: N-Channel, Технология: SiCFET (Silicon Carbide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 650V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 29A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156 mOhm @ 10A, 18V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

R6046ANZC8

Қоршаған бөлік: 5860

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 46A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81 mOhm @ 23A, 10V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

RQ5E040AJTCL

Қоршаған бөлік: 161102

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 4A, 4.5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

RSL020P03TR

Қоршаған бөлік: 132126

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2A, 10V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

RF4E100AJTCR

Қоршаған бөлік: 124088

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4 mOhm @ 10A, 4.5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

RDN100N20

Қоршаған бөлік: 9517

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 5A, 10V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

RSS125N03TB

Қоршаған бөлік: 9587

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 12.5A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 12.5A, 10V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

RZF020P01TL

Қоршаған бөлік: 177857

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 12V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2A, 4.5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

RSS110N03TB

Қоршаған бөлік: 9563

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7 mOhm @ 11A, 10V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

RDN120N25

Қоршаған бөлік: 9590

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 250V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 6A, 10V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

RK3055ETL

Қоршаған бөлік: 9538

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 4A, 10V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

RSS100N03TB

Қоршаған бөлік: 9574

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

RSS075P03TB

Қоршаған бөлік: 9532

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 7.5A, 10V,

Тілектер тізімі