Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз

HAT2261H-EL-E

HAT2261H-EL-E

Қоршаған бөлік: 295

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 45A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 22.5A, 10V,

Тілектер тізімі
HAT2088R-EL-E

HAT2088R-EL-E

Қоршаған бөлік: 241

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440 mOhm @ 1A, 10V,

Тілектер тізімі
HAT2164H-EL-E

HAT2164H-EL-E

Қоршаған бөлік: 65778

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 60A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 30A, 10V,

Тілектер тізімі
HAT2116H-EL-E

HAT2116H-EL-E

Қоршаған бөлік: 9523

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 15A, 10V,

Тілектер тізімі
NP40N10VDF-E2-AY

NP40N10VDF-E2-AY

Қоршаған бөлік: 9565

Тілектер тізімі
HAT2096H-EL-E

HAT2096H-EL-E

Қоршаған бөлік: 9571

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 40A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 20A, 10V,

Тілектер тізімі
NP55N055SUG(1)-E1-AY

NP55N055SUG(1)-E1-AY

Қоршаған бөлік: 9579

Тілектер тізімі
HAT2192WP-EL-E

HAT2192WP-EL-E

Қоршаған бөлік: 9583

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 250V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 5A, 10V,

Тілектер тізімі
RJK6012DPP-E0#T2

RJK6012DPP-E0#T2

Қоршаған бөлік: 9498

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920 mOhm @ 5A, 10V,

Тілектер тізімі
UPA2770GR(0)-E1-AY

UPA2770GR(0)-E1-AY

Қоршаған бөлік: 9638

Тілектер тізімі
UPA2764T1A-E2-AY

UPA2764T1A-E2-AY

Қоршаған бөлік: 76931

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 130A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45 mOhm @ 35A, 4.5V,

Тілектер тізімі
NP33N075YDF-E1-AY

NP33N075YDF-E1-AY

Қоршаған бөлік: 9572

Тілектер тізімі
RJK6006DPP-E0#T2

RJK6006DPP-E0#T2

Қоршаған бөлік: 9494

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 2.5A, 10V,

Тілектер тізімі
NP110N055PUK-E1-AY

NP110N055PUK-E1-AY

Қоршаған бөлік: 9519

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 55V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 110A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75 mOhm @ 55A, 10V,

Тілектер тізімі
RJK0658DPA-00#J5A

RJK0658DPA-00#J5A

Қоршаған бөлік: 9502

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1 mOhm @ 12.5A, 10V,

Тілектер тізімі
NP90N055MUK-S18-AY

NP90N055MUK-S18-AY

Қоршаған бөлік: 9485

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 55V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 45A, 10V,

Тілектер тізімі
NP52N055SUG-E1-AY

NP52N055SUG-E1-AY

Қоршаған бөлік: 9401

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 55V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 52A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 26A, 10V,

Тілектер тізімі
RJK5030DPD-00#J2

RJK5030DPD-00#J2

Қоршаған бөлік: 9461

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 2A, 10V,

Тілектер тізімі
NP83P06PDG-E1-AY

NP83P06PDG-E1-AY

Қоршаған бөлік: 9456

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 83A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 41.5A, 10V,

Тілектер тізімі
NP33N06YDG-E1-AY

NP33N06YDG-E1-AY

Қоршаған бөлік: 9468

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 33A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 16.5A, 10V,

Тілектер тізімі
NP20P04SLG-E1-AY

NP20P04SLG-E1-AY

Қоршаған бөлік: 9490

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 10A, 10V,

Тілектер тізімі
RJK0652DPB-00#J5

RJK0652DPB-00#J5

Қоршаған бөлік: 93087

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 17.5A, 10V,

Тілектер тізімі
NP110N055PUG-E1-AY

NP110N055PUG-E1-AY

Қоршаған бөлік: 9439

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 55V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 110A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 55A, 10V,

Тілектер тізімі
UPA2766T1A-E2-AY

UPA2766T1A-E2-AY

Қоршаған бөлік: 9461

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 130A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.82 mOhm @ 39A, 4.5V,

Тілектер тізімі
NP36P06KDG-E1-AY

NP36P06KDG-E1-AY

Қоршаған бөлік: 9495

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 36A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.5 mOhm @ 18A, 10V,

Тілектер тізімі
NP90N055NUK-S18-AY

NP90N055NUK-S18-AY

Қоршаған бөлік: 9462

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 55V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 45A, 10V,

Тілектер тізімі
NP80N04PUG-E1B-AY

NP80N04PUG-E1B-AY

Қоршаған бөлік: 9421

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 40A, 10V,

Тілектер тізімі
NP48N055KLE-E1-AY

NP48N055KLE-E1-AY

Қоршаған бөлік: 5959

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 55V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 48A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 24A, 10V,

Тілектер тізімі
HAT2099H-EL-E

HAT2099H-EL-E

Қоршаған бөлік: 9175

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 50A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі
HAT2168H-EL-E

HAT2168H-EL-E

Қоршаған бөлік: 96718

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9 mOhm @ 15A, 10V,

Тілектер тізімі
HAT2266H-EL-E

HAT2266H-EL-E

Қоршаған бөлік: 71558

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 15A, 10V,

Тілектер тізімі
HAT2279H-EL-E

HAT2279H-EL-E

Қоршаған бөлік: 52505

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 80V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 15A, 10V,

Тілектер тізімі
HAT2166H-EL-E

HAT2166H-EL-E

Қоршаған бөлік: 61646

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 45A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 22.5A, 10V,

Тілектер тізімі
HAT2160H-EL-E

HAT2160H-EL-E

Қоршаған бөлік: 52467

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 60A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 30A, 10V,

Тілектер тізімі
RJK0301DPB-02#J0

RJK0301DPB-02#J0

Қоршаған бөлік: 64106

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 60A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 30A, 10V,

Тілектер тізімі
HAT2173H-EL-E

HAT2173H-EL-E

Қоршаған бөлік: 50065

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 12.5A, 10V,

Тілектер тізімі