Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз

SK8603180L

SK8603180L

Қоршаған бөлік: 193906

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), 39A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1 mOhm @ 10A, 10V,

Тілектер тізімі
SK830321KL

SK830321KL

Қоршаған бөлік: 170122

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta), 18A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 4.5A, 10V,

Тілектер тізімі
MTMF82310BBF

MTMF82310BBF

Қоршаған бөлік: 48904

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 5A, 10V,

Тілектер тізімі
SK8603170L

SK8603170L

Қоршаған бөлік: 162517

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), 59A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 14A, 10V,

Тілектер тізімі
SK8403180L

SK8403180L

Қоршаған бөлік: 195175

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 39A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1 mOhm @ 8.5A, 10V,

Тілектер тізімі
XN0NE9200L

XN0NE9200L

Қоршаған бөлік: 146749

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 12V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 1.2A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 800mA, 4V,

Тілектер тізімі
MTM232230LBF

MTM232230LBF

Қоршаған бөлік: 176836

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 1A, 4V,

Тілектер тізімі
MTM867270LBF

MTM867270LBF

Қоршаған бөлік: 524

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 1A, 4V,

Тілектер тізімі
MTM231100L

MTM231100L

Қоршаған бөлік: 5675

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 12V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 1A, 4V,

Тілектер тізімі
MTM231230L

MTM231230L

Қоршаған бөлік: 9781

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 1A, 4V,

Тілектер тізімі
MTM761100LBF

MTM761100LBF

Қоршаған бөлік: 190123

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 12V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 1A, 4V,

Тілектер тізімі
MTM232230L

MTM232230L

Қоршаған бөлік: 5977

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 1A, 4V,

Тілектер тізімі
MTM862270LBF

MTM862270LBF

Қоршаған бөлік: 142293

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 1A, 4V,

Тілектер тізімі
FK3303010L

FK3303010L

Қоршаған бөлік: 176605

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 10mA, 4V,

Тілектер тізімі
FK3503010L

FK3503010L

Қоршаған бөлік: 133810

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 10mA, 4V,

Тілектер тізімі
FK3306010L

FK3306010L

Қоршаған бөлік: 183977

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V,

Тілектер тізімі
MTM231232LBF

MTM231232LBF

Қоршаған бөлік: 130111

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 1A, 4V,

Тілектер тізімі
MTM232270LBF

MTM232270LBF

Қоршаған бөлік: 195077

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 1A, 4V,

Тілектер тізімі