Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз | Дискретті жартылай өткізгіш өнімдер | 32

BUK624R5-30C,118

Қоршаған бөлік: 133421

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

BUK9GTHP-55PJTR,51

Қоршаған бөлік: 9432

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 55V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

BUK9675-55A,118

Қоршаған бөлік: 172980

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 55V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 10A, 10V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

BUK9629-100B,118

Қоршаған бөлік: 116132

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 46A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

BUK7528-55A,127

Қоршаған бөлік: 9316

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 55V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

BUK7526-100B,127

Қоршаған бөлік: 9295

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 49A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

BUK7107-55AIE,118

Қоршаған бөлік: 9097

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 55V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 50A, 10V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

BUK952R8-30B,127

Қоршаған бөлік: 9125

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

BUK9520-100A,127

Қоршаған бөлік: 9067

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 63A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

BUK6E3R4-40C,127

Қоршаған бөлік: 120855

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

BUK6E3R2-55C,127

Қоршаған бөлік: 32051

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 55V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

BUK625R0-40C,118

Қоршаған бөлік: 133435

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

BUK7207-30B,118

Қоршаған бөлік: 166786

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

BUK6212-40C,118

Қоршаған бөлік: 100786

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2 mOhm @ 12A, 10V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

BUK964R4-40B,118

Қоршаған бөлік: 76392

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

BUK9620-100B,118

Қоршаған бөлік: 103640

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 63A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

BSH111,215

Қоршаған бөлік: 8827

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 55V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 335mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 4.5V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

BSH111,235

Қоршаған бөлік: 8860

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 55V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 335mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 4.5V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

BUK9504-40A,127

Қоршаған бөлік: 8826

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

BUK7907-55AIE,127

Қоршаған бөлік: 22756

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 55V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 50A, 10V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

BUK7908-40AIE,127

Қоршаған бөлік: 27809

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 50A, 10V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

BUK7515-100A,127

Қоршаған бөлік: 33637

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

BSN20,215

Қоршаған бөлік: 8842

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 50V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 173mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 100mA, 10V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

BSN20,235

Қоршаған бөлік: 8816

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 50V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 173mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 100mA, 10V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

BUK9518-55A,127

Қоршаған бөлік: 8881

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 55V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 61A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

BUK953R2-40B,127

Қоршаған бөлік: 5886

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

BSH121,135

Қоршаған бөлік: 166507

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 75V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 4.5V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

BUK7105-40AIE,118

Қоршаған бөлік: 8799

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 50A, 10V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

BUK7109-75ATE,118

Қоршаған бөлік: 8816

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 75V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 50A, 10V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

BUK7109-75AIE,118

Қоршаған бөлік: 8824

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 75V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 50A, 10V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

BUK7E2R3-40C,127

Қоршаған бөлік: 64984

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

BUK7528-100A,127

Қоршаған бөлік: 8820

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 47A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

BUK7509-75A,127

Қоршаған бөлік: 8863

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 75V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

BUK7E04-40A,127

Қоршаған бөлік: 33912

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

BUK9607-30B,118

Қоршаған бөлік: 159808

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

BUK9E06-55A,127

Қоршаған бөлік: 33936

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 55V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі