Menu
ҚазақшаҚазақша
RFQ / Тапсырыс
0RFQ / Тапсырыс

Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз

  • Үй
  •  
  • Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз
PMZB550UNEYL
Nexperia USA Inc.

PMZB550UNEYL

Қоршаған бөлік: 180213

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 590mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670 mOhm @ 590mA, 4.5V,

Тілектер тізімі
PSMN041-80YLX
Nexperia USA Inc.

PSMN041-80YLX

Қоршаған бөлік: 126580

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 80V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 5A, 10V,

Тілектер тізімі
PMV50UPE,215
Nexperia USA Inc.

PMV50UPE,215

Қоршаған бөлік: 147116

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3.2A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 3.2A, 4.5V,

Тілектер тізімі
NX3008PBK,215
Nexperia USA Inc.

NX3008PBK,215

Қоршаған бөлік: 139409

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 230mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1 Ohm @ 200mA, 4.5V,

Тілектер тізімі
PMZ290UNE2YL
Nexperia USA Inc.

PMZ290UNE2YL

Қоршаған бөлік: 130425

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 1.2A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 1.2A, 4.5V,

Тілектер тізімі
PSMN4R0-30YL,115
Nexperia USA Inc.

PSMN4R0-30YL,115

Қоршаған бөлік: 133524

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 15A, 10V,

Тілектер тізімі
PMV48XPAR
Nexperia USA Inc.

PMV48XPAR

Қоршаған бөлік: 125231

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2.4A, 4.5V,

Тілектер тізімі
PSMN020-100YS,115
Nexperia USA Inc.

PSMN020-100YS,115

Қоршаған бөлік: 189766

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 43A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5 mOhm @ 15A, 10V,

Тілектер тізімі
PMPB33XP,115
Nexperia USA Inc.

PMPB33XP,115

Қоршаған бөлік: 189292

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 5.5A, 4.5V,

Тілектер тізімі
PSMN2R8-40PS,127
Nexperia USA Inc.

PSMN2R8-40PS,127

Қоршаған бөлік: 38801

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 10A, 10V,

Тілектер тізімі
PMV33UPE,215
Nexperia USA Inc.

PMV33UPE,215

Қоршаған бөлік: 199109

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4.4A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 3A, 4.5V,

Тілектер тізімі
PMZB290UNE,315
Nexperia USA Inc.

PMZB290UNE,315

Қоршаған бөлік: 111836

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 500mA, 4.5V,

Тілектер тізімі
PSMN4R3-100PS,127
Nexperia USA Inc.

PSMN4R3-100PS,127

Қоршаған бөлік: 23900

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі
PMV30XPEAR
Nexperia USA Inc.

PMV30XPEAR

Қоршаған бөлік: 108272

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 3A, 4.5V,

Тілектер тізімі
PSMN5R0-80PS,127
Nexperia USA Inc.

PSMN5R0-80PS,127

Қоршаған бөлік: 38384

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 80V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 15A, 10V,

Тілектер тізімі
PSMN3R3-40YS,115
Nexperia USA Inc.

PSMN3R3-40YS,115

Қоршаған бөлік: 164155

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі
PML260SN,118
Nexperia USA Inc.

PML260SN,118

Қоршаған бөлік: 143183

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 8.8A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 294 mOhm @ 2.6A, 10V,

Тілектер тізімі
PMPB10XNEZ
Nexperia USA Inc.

PMPB10XNEZ

Қоршаған бөлік: 181421

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9A, 4.5V,

Тілектер тізімі
PMPB23XNEZ
Nexperia USA Inc.

PMPB23XNEZ

Қоршаған бөлік: 124658

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7A, 4.5V,

Тілектер тізімі
PHP23NQ11T,127
Nexperia USA Inc.

PHP23NQ11T,127

Қоршаған бөлік: 71793

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 110V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 13A, 10V,

Тілектер тізімі
PSMN034-100PS,127
Nexperia USA Inc.

PSMN034-100PS,127

Қоршаған бөлік: 62612

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 32A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5 mOhm @ 15A, 10V,

Тілектер тізімі
PMZ600UNEYL
Nexperia USA Inc.

PMZ600UNEYL

Қоршаған бөлік: 177703

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 600mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 600mA, 4.5V,

Тілектер тізімі
PSMN1R2-25YLC,115
Nexperia USA Inc.

PSMN1R2-25YLC,115

Қоршаған бөлік: 134456

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі
PMCM4401VPEZ
Nexperia USA Inc.

PMCM4401VPEZ

Қоршаған бөлік: 102564

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 12V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3.9A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3A, 4.5V,

Тілектер тізімі
PMCM4401UNEZ
Nexperia USA Inc.

PMCM4401UNEZ

Қоршаған бөлік: 162770

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V,

Тілектер тізімі
PSMN4R6-60PS,127
Nexperia USA Inc.

PSMN4R6-60PS,127

Қоршаған бөлік: 39675

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі
PSMN3R8-100BS,118
Nexperia USA Inc.

PSMN3R8-100BS,118

Қоршаған бөлік: 41338

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі
PSMN021-100YLX
Nexperia USA Inc.

PSMN021-100YLX

Қоршаған бөлік: 167405

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 49A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5 mOhm @ 15A, 10V,

Тілектер тізімі
PMV50XPR
Nexperia USA Inc.

PMV50XPR

Қоршаған бөлік: 136553

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3.6A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

Тілектер тізімі
PSMN1R4-30YLDX
Nexperia USA Inc.

PSMN1R4-30YLDX

Қоршаған бөлік: 160382

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.42 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі
PMZ600UNELYL
Nexperia USA Inc.

PMZ600UNELYL

Қоршаған бөлік: 129738

FET түрі: N-Channel, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 600mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 600mA, 4.5V,

Тілектер тізімі
PMZ370UNEYL
Nexperia USA Inc.

PMZ370UNEYL

Қоршаған бөлік: 109327

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 900mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490 mOhm @ 500mA, 4.5V,

Тілектер тізімі
PMCM6501UNEZ
Nexperia USA Inc.

PMCM6501UNEZ

Қоршаған бөлік: 195673

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V,

Тілектер тізімі
PMZB350UPE,315
Nexperia USA Inc.

PMZB350UPE,315

Қоршаған бөлік: 138063

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 300mA, 4.5V,

Тілектер тізімі
PMCM4401UPEZ
Nexperia USA Inc.

PMCM4401UPEZ

Қоршаған бөлік: 142773

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 3A, 4.5V,

Тілектер тізімі
PMXB43UNEZ
Nexperia USA Inc.

PMXB43UNEZ

Қоршаған бөлік: 21530

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3.2A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 3.2A, 4.5V,

Тілектер тізімі