Menu
ҚазақшаҚазақша
RFQ / Тапсырыс
0RFQ / Тапсырыс

Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз

  • Үй
  •  
  • Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз
BUK9Y25-80E,115
Nexperia USA Inc.

BUK9Y25-80E,115

Қоршаған бөлік: 158384

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 80V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 37A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 10A, 5V,

Тілектер тізімі
BUK7Y10-30B,115
Nexperia USA Inc.

BUK7Y10-30B,115

Қоршаған бөлік: 111872

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 67A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі
BUK7Y13-40B,115
Nexperia USA Inc.

BUK7Y13-40B,115

Қоршаған бөлік: 85175

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 58A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі
BUK7M22-80EX
Nexperia USA Inc.

BUK7M22-80EX

Қоршаған бөлік: 115588

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 80V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 37A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 10A, 10V,

Тілектер тізімі
BUK6213-30A,118
Nexperia USA Inc.

BUK6213-30A,118

Қоршаған бөлік: 195714

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 55A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,

Тілектер тізімі
BUK9M6R6-30EX
Nexperia USA Inc.

BUK9M6R6-30EX

Қоршаған бөлік: 111329

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 20A, 10V,

Тілектер тізімі
BUK9M9R1-40EX
Nexperia USA Inc.

BUK9M9R1-40EX

Қоршаған бөлік: 180232

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 64A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3 mOhm @ 20A, 10V,

Тілектер тізімі
BUK9M28-80EX
Nexperia USA Inc.

BUK9M28-80EX

Қоршаған бөлік: 180909

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 80V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 33A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 10A, 10V,

Тілектер тізімі
BUK9M43-100EX
Nexperia USA Inc.

BUK9M43-100EX

Қоршаған бөлік: 192680

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 5A, 10V,

Тілектер тізімі
BUK9M15-60EX
Nexperia USA Inc.

BUK9M15-60EX

Қоршаған бөлік: 168419

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 47A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,

Тілектер тізімі
BUK7Y53-100B,115
Nexperia USA Inc.

BUK7Y53-100B,115

Қоршаған бөлік: 173564

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 24.8A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 10A, 10V,

Тілектер тізімі
BUK7Y18-55B,115
Nexperia USA Inc.

BUK7Y18-55B,115

Қоршаған бөлік: 185207

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 55V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 47.4A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 20A, 10V,

Тілектер тізімі
BUK7M8R0-40EX
Nexperia USA Inc.

BUK7M8R0-40EX

Қоршаған бөлік: 133300

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 69A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

Тілектер тізімі
BUK7M12-60EX
Nexperia USA Inc.

BUK7M12-60EX

Қоршаған бөлік: 194417

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 53A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 15A, 10V,

Тілектер тізімі
BUK9Y53-100B,115
Nexperia USA Inc.

BUK9Y53-100B,115

Қоршаған бөлік: 117369

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 10A, 10V,

Тілектер тізімі
BSP126,135
Nexperia USA Inc.

BSP126,135

Қоршаған бөлік: 181906

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 250V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 375mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 300mA, 10V,

Тілектер тізімі
BUK7M27-80EX
Nexperia USA Inc.

BUK7M27-80EX

Қоршаған бөлік: 181775

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 80V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5A, 10V,

Тілектер тізімі
BUK9M35-80EX
Nexperia USA Inc.

BUK9M35-80EX

Қоршаған бөлік: 172353

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 80V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 26A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 5A, 10V,

Тілектер тізімі
BUK9M19-60EX
Nexperia USA Inc.

BUK9M19-60EX

Қоршаған бөлік: 141900

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 38A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V,

Тілектер тізімі
BUK9Y25-60E,115
Nexperia USA Inc.

BUK9Y25-60E,115

Қоршаған бөлік: 135009

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5 mOhm @ 10A, 10V,

Тілектер тізімі
BUK9Y41-80E,115
Nexperia USA Inc.

BUK9Y41-80E,115

Қоршаған бөлік: 158657

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 80V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 5A, 10V,

Тілектер тізімі
BUK9245-55A,118
Nexperia USA Inc.

BUK9245-55A,118

Қоршаған бөлік: 135060

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 55V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 28A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 5A, 10V,

Тілектер тізімі
BUK9M10-30EX
Nexperia USA Inc.

BUK9M10-30EX

Қоршаған бөлік: 108711

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 54A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 15A, 10V,

Тілектер тізімі
BUK9M24-60EX
Nexperia USA Inc.

BUK9M24-60EX

Қоршаған бөлік: 184221

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 32A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 10A, 10V,

Тілектер тізімі
BUK7M10-40EX
Nexperia USA Inc.

BUK7M10-40EX

Қоршаған бөлік: 182442

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 56A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 15A, 10V,

Тілектер тізімі
BSS123,215
Nexperia USA Inc.

BSS123,215

Қоршаған бөлік: 150743

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 150mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 120mA, 10V,

Тілектер тізімі
BUK7M12-40EX
Nexperia USA Inc.

BUK7M12-40EX

Қоршаған бөлік: 189511

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 48A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 15A, 10V,

Тілектер тізімі
BUK7Y20-30B,115
Nexperia USA Inc.

BUK7Y20-30B,115

Қоршаған бөлік: 187615

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 39.5A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 20A, 10V,

Тілектер тізімі
BUK9Y22-30B,115
Nexperia USA Inc.

BUK9Y22-30B,115

Қоршаған бөлік: 143999

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 37.7A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 20A, 10V,

Тілектер тізімі
BUK9Y72-80E,115
Nexperia USA Inc.

BUK9Y72-80E,115

Қоршаған бөлік: 140495

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 80V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 5A, 10V,

Тілектер тізімі
BUK9Y43-60E,115
Nexperia USA Inc.

BUK9Y43-60E,115

Қоршаған бөлік: 139643

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 5A, 10V,

Тілектер тізімі
BUK9Y21-40E,115
Nexperia USA Inc.

BUK9Y21-40E,115

Қоршаған бөлік: 168547

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 33A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V,

Тілектер тізімі
BUK9237-55A,118
Nexperia USA Inc.

BUK9237-55A,118

Қоршаған бөлік: 193857

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 55V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 32A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 15A, 10V,

Тілектер тізімі
BUK7Y43-60EX
Nexperia USA Inc.

BUK7Y43-60EX

Қоршаған бөлік: 106628

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 5A, 10V,

Тілектер тізімі
BUK7Y72-80EX
Nexperia USA Inc.

BUK7Y72-80EX

Қоршаған бөлік: 172331

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 80V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 5A, 10V,

Тілектер тізімі
BUK7Y21-40EX
Nexperia USA Inc.

BUK7Y21-40EX

Қоршаған бөлік: 183768

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 33A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 10A, 10V,

Тілектер тізімі