Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз

Үй
Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз

Microsemi Corporation

APTM100SKM90G

Қоршаған бөлік: 544

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 1000V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 78A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 39A, 10V,

Тілектер тізімі

Microsemi Corporation

APTM100U13SG

Қоршаған бөлік: 6113

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 1000V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 65A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 32.5A, 10V,

Тілектер тізімі

Microsemi Corporation

APTM100SK18TG

Қоршаған бөлік: 570

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 1000V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 43A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 21.5A, 10V,

Тілектер тізімі

Microsemi Corporation

APTM100DA40T1G

Қоршаған бөлік: 562

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 1000V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 16A, 10V,

Тілектер тізімі

Microsemi Corporation

APTM100DA18T1G

Қоршаған бөлік: 6076

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 1000V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216 mOhm @ 33A, 10V,

Тілектер тізімі

Microsemi Corporation

APTC80SK15T1G

Қоршаған бөлік: 590

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 800V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 28A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V,

Тілектер тізімі

Microsemi Corporation

APTC60SKM35T1G

Қоршаған бөлік: 591

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 72A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V,

Тілектер тізімі

Microsemi Corporation

APTC60DAM24T1G

Қоршаған бөлік: 558

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 95A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V,

Тілектер тізімі

Microsemi Corporation

APT9M100B

Қоршаған бөлік: 13855

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 1000V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 5A, 10V,

Тілектер тізімі

Microsemi Corporation

APT8M80K

Қоршаған бөлік: 345

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 800V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35 Ohm @ 4A, 10V,

Тілектер тізімі

Microsemi Corporation

APT8024LLLG

Қоршаған бөлік: 332

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 800V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 31A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 15.5A, 10V,

Тілектер тізімі

Microsemi Corporation

APT8024JLL

Қоршаған бөлік: 6119

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 800V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 29A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 14.5A, 10V,

Тілектер тізімі

Microsemi Corporation

APT7F80K

Қоршаған бөлік: 366

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 800V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 4A, 10V,

Тілектер тізімі

Microsemi Corporation

APT8014JLL

Қоршаған бөлік: 369

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 800V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 21A, 10V,

Тілектер тізімі

Microsemi Corporation

APT6M100K

Қоршаған бөлік: 416

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 1000V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 3A, 10V,

Тілектер тізімі

Microsemi Corporation

APT75M50B2

Қоршаған бөлік: 5052

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 37A, 10V,

Тілектер тізімі

Microsemi Corporation

APT60M80JVR

Қоршаған бөлік: 373

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 55A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі

Microsemi Corporation

APT60M80L2VRG

Қоршаған бөлік: 2032

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 65A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 32.5A, 10V,

Тілектер тізімі

Microsemi Corporation

APT60M75JVFR

Қоршаған бөлік: 394

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 62A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 31A, 10V,

Тілектер тізімі

Microsemi Corporation

APT60M75L2LLG

Қоршаған бөлік: 1781

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 73A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 36.5A, 10V,

Тілектер тізімі

Microsemi Corporation

APT5F100K

Қоршаған бөлік: 412

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 1000V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 3A, 10V,

Тілектер тізімі

Microsemi Corporation

APT58M50J

Қоршаған бөлік: 2293

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 58A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 42A, 10V,

Тілектер тізімі

Microsemi Corporation

APT55M65JFLL

Қоршаған бөлік: 338

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 550V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 63A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 31.5A, 10V,

Тілектер тізімі

Microsemi Corporation

APT55M50JFLL

Қоршаған бөлік: 379

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 550V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 77A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 38.5A, 10V,

Тілектер тізімі

Microsemi Corporation

APT5510JFLL

Қоршаған бөлік: 6039

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 550V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 44A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 22A, 10V,

Тілектер тізімі

Microsemi Corporation

APT5016BFLLG

Қоршаған бөлік: 6194

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 15A, 10V,

Тілектер тізімі

Microsemi Corporation

APT5018BLLG

Қоршаған бөлік: 366

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 27A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 13.5A, 10V,

Тілектер тізімі

Microsemi Corporation

APT4M120K

Қоршаған бөлік: 398

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 1200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 2A, 10V,

Тілектер тізімі

Microsemi Corporation

APT4F120K

Қоршаған бөлік: 409

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 1200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 Ohm @ 2A, 10V,

Тілектер тізімі

Microsemi Corporation

APT45M100J

Қоршаған бөлік: 1471

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 1000V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 45A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 33A, 10V,

Тілектер тізімі

Microsemi Corporation

APT41M80L

Қоршаған бөлік: 4379

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 800V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 43A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 20A, 10V,

Тілектер тізімі

Microsemi Corporation

APT40M70JVFR

Қоршаған бөлік: 385

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 400V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 53A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 26.5A, 10V,

Тілектер тізімі

Microsemi Corporation

APT40M70LVFRG

Қоршаған бөлік: 350

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 400V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 57A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі

Microsemi Corporation

APT34F60BG

Қоршаған бөлік: 5675

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 17A, 10V,

Тілектер тізімі

Microsemi Corporation

APT40M35JVFR

Қоршаған бөлік: 357

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 400V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 93A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 46.5A, 10V,

Тілектер тізімі

Microsemi Corporation

APT32M80J

Қоршаған бөлік: 2341

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 800V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 33A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 24A, 10V,

Тілектер тізімі

596

«
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
»