Технология: Magnetoresistive, Ось: X, Y, Шығу түрі: I²C, Зондты сезу: ±0.6mT, Кернеу - жабдықтау: 1.62V ~ 3.6V, Ағым - жабдықтау (максимум): 60µA,
Технология: Magnetoresistive, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: I²C, Зондты сезу: ±1.6mT, Кернеу - жабдықтау: 1.62V ~ 3.6V, Ағым - жабдықтау (максимум): 160µA,
Технология: Magnetoresistive, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: I²C, Зондты сезу: ±0.8mT, Кернеу - жабдықтау: 2.16V ~ 3.6V, Ағым - жабдықтау (максимум): 120µA,
Технология: Magnetoresistive, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: I²C, Зондты сезу: ±1.6mT, Кернеу - жабдықтау: 1.62V ~ 3.6V, Ағым - жабдықтау (максимум): 140µA,
