Қашықтықты сезу: 1.5mm, Зерттеу әдісі: Reflective, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 20mA, Шығу түрі: Photodiode,
Қашықтықты сезу: 1.5mm, Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 20V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 60mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 1.5mm, Зерттеу әдісі: Reflective, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 30mA, Шығу түрі: Photodiode,
Қашықтықты сезу: 1.5mm, Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 20V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 40mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 1.5mm, Зерттеу әдісі: Reflective, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 40mA, Шығу түрі: Photodiode,
Қашықтықты сезу: 1.5mm, Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 20V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 1.5mm, Зерттеу әдісі: Reflective, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 60mA, Шығу түрі: Photodiode,
Қашықтықты сезу: 1.5mm, Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 20V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 30mA, Шығу түрі: Phototransistor,
