Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз | Дискретті жартылай өткізгіш өнімдер | 1

CPC3902ZTR

Қоршаған бөлік: 131537

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 250V, Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 300mA, 0V,

Тілектер тізімі

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3902CTR

Қоршаған бөлік: 108608

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 250V, Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 300mA, 0V,

Тілектер тізімі

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3909ZTR

Қоршаған бөлік: 173406

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 400V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 300mA, 0V,

Тілектер тізімі

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3701CTR

Қоршаған бөлік: 110408

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 300mA, 0V,

Тілектер тізімі

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3960ZTR

Қоршаған бөлік: 127604

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 Ohm @ 100mA, 0V,

Тілектер тізімі

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3710CTR

Қоршаған бөлік: 180680

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 250V, Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 220mA, 0V,

Тілектер тізімі

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3909CTR

Қоршаған бөлік: 173441

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 400V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 300mA, 0V,

Тілектер тізімі

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3710C

Қоршаған бөлік: 1443

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 250V, Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 220mA, 0V,

Тілектер тізімі

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3982TTR

Қоршаған бөлік: 126520

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 800V, Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 Ohm @ 20mA, 0V,

Тілектер тізімі

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3720C

Қоршаған бөлік: 1407

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 350V, Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 Ohm @ 130mA, 0V,

Тілектер тізімі

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3714C

Қоршаған бөлік: 1380

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 350V, Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 240mA, 0V,

Тілектер тізімі

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3980ZTR

Қоршаған бөлік: 198190

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 800V, Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 100mA, 0V,

Тілектер тізімі

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3701C

Қоршаған бөлік: 1385

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 300mA, 0V,

Тілектер тізімі

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3730C

Қоршаған бөлік: 6160

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 350V, Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 Ohm @ 140mA, 0V,

Тілектер тізімі

IXYS Integrated Circuits Division

CPC5603CTR

Қоршаған бөлік: 67206

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 415V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): -0.35V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,

Тілектер тізімі

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3703C

Қоршаған бөлік: 335

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 250V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 360mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 200mA, 0V,

Тілектер тізімі

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3703CTR

Қоршаған бөлік: 103573

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 250V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 360mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 200mA, 0V,

Тілектер тізімі

IXYS Integrated Circuits Division

CPC5602CTR

Қоршаған бөлік: 127786

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 350V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): -0.35V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,

Тілектер тізімі

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3708ZTR

Қоршаған бөлік: 107138

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 350V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): -0.35V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,

Тілектер тізімі

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3708CTR

Қоршаған бөлік: 185051

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 350V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): -0.35V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,

Тілектер тізімі