Menu
ҚазақшаҚазақша
RFQ / Тапсырыс
0RFQ / Тапсырыс

Транзисторлар - биполярлы (BJT) - жалғыз, алдын-ал

  • Үй
  •  
  • Транзисторлар - биполярлы (BJT) - жалғыз, алдын-ал
BCR555E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR555E6327HTSA1

Қоршаған бөлік: 169612

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR142E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR142E6327HTSA1

Қоршаған бөлік: 111124

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR198E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR198E6327HTSA1

Қоршаған бөлік: 196205

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR183E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR183E6327HTSA1

Қоршаған бөлік: 112554

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR533E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR533E6327HTSA1

Қоршаған бөлік: 148436

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR148E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR148E6327HTSA1

Қоршаған бөлік: 179063

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR133E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR133E6327HTSA1

Қоршаған бөлік: 117390

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR505E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR505E6327HTSA1

Қоршаған бөлік: 155798

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR108E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR108E6327HTSA1

Қоршаған бөлік: 107313

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR503E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR503E6327HTSA1

Қоршаған бөлік: 187004

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 2.2 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR135E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR135E6327HTSA1

Қоршаған бөлік: 185332

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR523E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR523E6327HTSA1

Қоршаған бөлік: 192928

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 1 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR116E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR116E6327HTSA1

Қоршаған бөлік: 185599

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR553E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR553E6327HTSA1

Қоршаған бөлік: 184944

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 2.2 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR555E6433HTMA1
Infineon Technologies

BCR555E6433HTMA1

Қоршаған бөлік: 167043

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR573E6433HTMA1
Infineon Technologies

BCR573E6433HTMA1

Қоршаған бөлік: 194775

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 1 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR573E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR573E6327HTSA1

Қоршаған бөлік: 169525

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 1 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR523E6433HTMA1
Infineon Technologies

BCR523E6433HTMA1

Қоршаған бөлік: 168743

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 1 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR583E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR583E6327HTSA1

Қоршаған бөлік: 160056

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR521E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR521E6327HTSA1

Қоршаған бөлік: 128154

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 1 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 1 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR112E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR112E6327HTSA1

Қоршаған бөлік: 162905

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR142WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR142WH6327XTSA1

Қоршаған бөлік: 167474

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR185WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR185WH6327XTSA1

Қоршаған бөлік: 127612

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR148E6433HTMA1
Infineon Technologies

BCR148E6433HTMA1

Қоршаған бөлік: 122157

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR166E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR166E6327HTSA1

Қоршаған бөлік: 175753

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR185E6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR185E6327HTSA1

Қоршаған бөлік: 117094

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR133E6433HTMA1
Infineon Technologies

BCR133E6433HTMA1

Қоршаған бөлік: 166891

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR108WH6433XTMA1
Infineon Technologies

BCR108WH6433XTMA1

Қоршаған бөлік: 152662

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR196WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR196WH6327XTSA1

Қоршаған бөлік: 168903

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 70mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 22 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR198WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR198WH6327XTSA1

Қоршаған бөлік: 142688

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR191WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR191WH6327XTSA1

Қоршаған бөлік: 172560

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 22 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR112WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR112WH6327XTSA1

Қоршаған бөлік: 124099

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR148WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR148WH6327XTSA1

Қоршаған бөлік: 121396

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR183WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR183WH6327XTSA1

Қоршаған бөлік: 182729

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR108WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR108WH6327XTSA1

Қоршаған бөлік: 111326

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
BCR158WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR158WH6327XTSA1

Қоршаған бөлік: 106810

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі