Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз | Дискретті жартылай өткізгіш өнімдер | 100

IRFH7885TRPBF

Қоршаған бөлік: 2020

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 80V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 50A, 10V,

Тілектер тізімі

Infineon Technologies

IRFS7534PBF

Қоршаған бөлік: 21178

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 195A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 100A, 10V,

Тілектер тізімі

Infineon Technologies

IPP037N08N3GHKSA1

Қоршаған бөлік: 1965

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 80V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75 mOhm @ 100A, 10V,

Тілектер тізімі

Infineon Technologies

IRF1404LPBF

Қоршаған бөлік: 25076

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 162A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 95A, 10V,

Тілектер тізімі

Infineon Technologies

IRFSL3607PBF

Қоршаған бөлік: 39373

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 75V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 46A, 10V,

Тілектер тізімі

Infineon Technologies

IPP030N10N3GHKSA1

Қоршаған бөлік: 1962

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 100A, 10V,

Тілектер тізімі

Infineon Technologies

IRFR9N20DTRPBF

Қоршаған бөлік: 158569

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 9.4A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 5.6A, 10V,

Тілектер тізімі

Infineon Technologies

IPA60R330P6XKSA1

Қоршаған бөлік: 35461

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 4.5A, 10V,

Тілектер тізімі

Infineon Technologies

IRFS7730-7PPBF

Қоршаған бөлік: 14874

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 75V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 240A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 100A, 10V,

Тілектер тізімі

Infineon Technologies

IPP057N08N3GHKSA1

Қоршаған бөлік: 6219

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 80V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 80A, 10V,

Тілектер тізімі

Infineon Technologies

SPI12N50C3HKSA1

Қоршаған бөлік: 1997

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 11.6A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 7A, 10V,

Тілектер тізімі

Infineon Technologies

IRF6729MTRPBF

Қоршаған бөлік: 1803

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta), 190A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 31A, 10V,

Тілектер тізімі

Infineon Technologies

IRF8308MTR1PBF

Қоршаған бөлік: 1827

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 27A (Ta), 150A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 27A, 10V,

Тілектер тізімі

Infineon Technologies

IPA65R099C6XKSA1

Қоршаған бөлік: 10434

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 650V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 38A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 12.8A, 10V,

Тілектер тізімі

Infineon Technologies

IPP70N10S312AKSA1

Қоршаған бөлік: 41390

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6 mOhm @ 70A, 10V,

Тілектер тізімі

Infineon Technologies

IRF40B207

Қоршаған бөлік: 61572

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 95A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 57A, 10V,

Тілектер тізімі

Infineon Technologies

IPU50R950CEAKMA1

Қоршаған бөлік: 118200

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4.3A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 13V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 1.2A, 13V,

Тілектер тізімі

Infineon Technologies

IPP086N10N3GHKSA1

Қоршаған бөлік: 1986

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 73A, 10V,

Тілектер тізімі

Infineon Technologies

IRLMS2002GTRPBF

Қоршаған бөлік: 1817

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6.5A, 4.5V,

Тілектер тізімі

Infineon Technologies

SPI15N65C3HKSA1

Қоршаған бөлік: 1983

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 650V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 9.4A, 10V,

Тілектер тізімі

Infineon Technologies

SPI11N60C3HKSA1

Қоршаған бөлік: 6238

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 7A, 10V,

Тілектер тізімі

Infineon Technologies

IPU80R1K0CEBKMA1

Қоршаған бөлік: 1869

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 800V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5.7A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 3.6A, 10V,

Тілектер тізімі

Infineon Technologies

IRFR7740PBF

Қоршаған бөлік: 40930

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 75V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 87A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 52A, 10V,

Тілектер тізімі

Infineon Technologies

IPI65R099C6XKSA1

Қоршаған бөлік: 10482

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 650V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 38A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 12.8A, 10V,

Тілектер тізімі

Infineon Technologies

IPA60R800CEXKSA1

Қоршаған бөлік: 76331

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5.6A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2A, 10V,

Тілектер тізімі

Infineon Technologies

IPP032N06N3GHKSA1

Қоршаған бөлік: 1975

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 100A, 10V,

Тілектер тізімі

Infineon Technologies

IPD50R280CEATMA1

Қоршаған бөлік: 1971

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 13V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 4.2A, 13V,

Тілектер тізімі

Infineon Technologies

IRFSL3006PBF

Қоршаған бөлік: 11684

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 195A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 170A, 10V,

Тілектер тізімі

Infineon Technologies

IPB60R230P6ATMA1

Қоршаған бөлік: 59375

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 16.8A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 6.4A, 10V,

Тілектер тізімі

Infineon Technologies

IPB120N04S402ATMA1

Қоршаған бөлік: 68205

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 100A, 10V,

Тілектер тізімі

Infineon Technologies

IPI80N04S204AKSA2

Қоршаған бөлік: 47016

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 80A, 10V,

Тілектер тізімі

Infineon Technologies

IPU60R1K5CEAKMA1

Қоршаған бөлік: 136787

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.1A, 10V,

Тілектер тізімі

Infineon Technologies

IRLIZ34NPBF

Қоршаған бөлік: 63148

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 55V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 12A, 10V,

Тілектер тізімі

Infineon Technologies

IRFS4115TRLPBF

Қоршаған бөлік: 42939

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 150V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 195A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1 mOhm @ 62A, 10V,

Тілектер тізімі

Infineon Technologies

IPD50R650CEATMA1

Қоршаған бөлік: 123763

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 6.1A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 13V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 1.8A, 13V,

Тілектер тізімі

Infineon Technologies

IPP084N06L3GHKSA1

Қоршаған бөлік: 2005

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 50A, 10V,

Тілектер тізімі