Menu
ҚазақшаҚазақша
RFQ / Тапсырыс
0RFQ / Тапсырыс

Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз

  • Үй
  •  
  • Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз
BUZ73AL
Infineon Technologies

BUZ73AL

Қоршаған бөлік: 95

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 5V,

Тілектер тізімі
BUZ73AE3046XK
Infineon Technologies

BUZ73AE3046XK

Қоршаған бөлік: 152

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.5A, 10V,

Тілектер тізімі
BUZ73A
Infineon Technologies

BUZ73A

Қоршаған бөлік: 97

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.5A, 10V,

Тілектер тізімі
BUZ32H3045AATMA1
Infineon Technologies

BUZ32H3045AATMA1

Қоршаған бөлік: 142

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 9.5A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 6A, 10V,

Тілектер тізімі
BUZ73E3046XK
Infineon Technologies

BUZ73E3046XK

Қоршаған бөлік: 174

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 4.5A, 10V,

Тілектер тізімі
BUZ32 E3045A
Infineon Technologies

BUZ32 E3045A

Қоршаған бөлік: 168

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 9.5A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 6A, 10V,

Тілектер тізімі
BUZ32
Infineon Technologies

BUZ32

Қоршаған бөлік: 94

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 9.5A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 6A, 10V,

Тілектер тізімі
BUZ31L E3044A
Infineon Technologies

BUZ31L E3044A

Қоршаған бөлік: 164

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 13.5A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 7A, 5V,

Тілектер тізімі
BUZ31L
Infineon Technologies

BUZ31L

Қоршаған бөлік: 176

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 13.5A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 7A, 5V,

Тілектер тізімі
BUZ31 E3046
Infineon Technologies

BUZ31 E3046

Қоршаған бөлік: 128

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 14.5A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 9A, 5V,

Тілектер тізімі
BUZ31 E3045A
Infineon Technologies

BUZ31 E3045A

Қоршаған бөлік: 125

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 14.5A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 9A, 5V,

Тілектер тізімі
BUZ31
Infineon Technologies

BUZ31

Қоршаған бөлік: 160

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 14.5A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 9A, 5V,

Тілектер тізімі
BUZ30A E3045A
Infineon Technologies

BUZ30A E3045A

Қоршаған бөлік: 182

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 21A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 13.5A, 10V,

Тілектер тізімі
BTS282ZAKSA1
Infineon Technologies

BTS282ZAKSA1

Қоршаған бөлік: 135

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 49V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 36A, 10V,

Тілектер тізімі
BTS282Z E3230
Infineon Technologies

BTS282Z E3230

Қоршаған бөлік: 97

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 49V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 36A, 10V,

Тілектер тізімі
BTS247ZE3043AKSA1
Infineon Technologies

BTS247ZE3043AKSA1

Қоршаған бөлік: 153

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 55V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 33A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 12A, 10V,

Тілектер тізімі
BTS247ZAKSA1
Infineon Technologies

BTS247ZAKSA1

Қоршаған бөлік: 141

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 55V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 33A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 12A, 10V,

Тілектер тізімі
BTS244Z E3043
Infineon Technologies

BTS244Z E3043

Қоршаған бөлік: 84

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 55V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 19A, 10V,

Тілектер тізімі
BTS244Z E3062A
Infineon Technologies

BTS244Z E3062A

Қоршаған бөлік: 149

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 55V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 19A, 10V,

Тілектер тізімі
BTS113AE3064NKSA1
Infineon Technologies

BTS113AE3064NKSA1

Қоршаған бөлік: 94

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 11.5A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 5.8A, 4.5V,

Тілектер тізімі
BTS244ZNKSA1
Infineon Technologies

BTS244ZNKSA1

Қоршаған бөлік: 175

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 55V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 19A, 10V,

Тілектер тізімі
BTS113ANKSA1
Infineon Technologies

BTS113ANKSA1

Қоршаған бөлік: 176

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 11.5A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 5.8A, 4.5V,

Тілектер тізімі
BTS113AE3045ANTMA1
Infineon Technologies

BTS113AE3045ANTMA1

Қоршаған бөлік: 161

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 11.5A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 5.8A, 4.5V,

Тілектер тізімі
BTS110NKSA1
Infineon Technologies

BTS110NKSA1

Қоршаған бөлік: 140

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 5A, 10V,

Тілектер тізімі
BTS110E3045ANTMA1
Infineon Technologies

BTS110E3045ANTMA1

Қоршаған бөлік: 180

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 5A, 10V,

Тілектер тізімі
BSS87 E6433
Infineon Technologies

BSS87 E6433

Қоршаған бөлік: 144

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 240V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 260mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 260mA, 10V,

Тілектер тізімі
BSS84P E6433
Infineon Technologies

BSS84P E6433

Қоршаған бөлік: 174

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 170mA, 10V,

Тілектер тізімі
BSS225L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS225L6327HTSA1

Қоршаған бөлік: 6048

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 90mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 90mA, 10V,

Тілектер тізімі
BSS225
Infineon Technologies

BSS225

Қоршаған бөлік: 103

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 90mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 90mA, 10V,

Тілектер тізімі
BSS169 E6906
Infineon Technologies

BSS169 E6906

Қоршаған бөлік: 94

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Тілектер тізімі
BSS169 E6327
Infineon Technologies

BSS169 E6327

Қоршаған бөлік: 6104

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Тілектер тізімі
BSS159N E6906
Infineon Technologies

BSS159N E6906

Қоршаған бөлік: 129

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 230mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 160mA, 10V,

Тілектер тізімі
BSS159N E6327
Infineon Technologies

BSS159N E6327

Қоршаған бөлік: 170

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 230mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 160mA, 10V,

Тілектер тізімі
BSS139 E6906
Infineon Technologies

BSS139 E6906

Қоршаған бөлік: 116

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 250V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 0.1mA, 10V,

Тілектер тізімі
BSS139 E6327
Infineon Technologies

BSS139 E6327

Қоршаған бөлік: 166

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 250V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 0.1mA, 10V,

Тілектер тізімі
BSS138W E6433
Infineon Technologies

BSS138W E6433

Қоршаған бөлік: 159

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 280mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Тілектер тізімі