Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±84mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 10.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 8.7mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±67mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 10.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 8.7mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Кернеу - жабдықтау: 2.7V ~ 6.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±42mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 10.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 8.7mA,