Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз

AOT1N60

Қоршаған бөлік: 107755

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 1.3A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 650mA, 10V,

AOT20S60L

Қоршаған бөлік: 22197

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199 mOhm @ 10A, 10V,

AOT2500L

Қоршаған бөлік: 19106

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 150V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 11.5A (Ta), 152A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 20A, 10V,

AOT460_002

Қоршаған бөлік: 2383

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 85A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 30A, 10V,

AON7426_101

Қоршаған бөлік: 2447

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), 40A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 18A, 10V,

AOTF8N65_002

Қоршаған бөлік: 2416

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF8N50_003

Қоршаған бөлік: 6308

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF8N50_002

Қоршаған бөлік: 2379

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF7N60_002

Қоршаған бөлік: 2412

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF4N60_002

Қоршаған бөлік: 2413

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF4N90_002

Қоршаған бөлік: 2360

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF22N50_001

Қоршаған бөлік: 2377

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF20S60_900

Қоршаған бөлік: 2422

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF20S60_001

Қоршаған бөлік: 6258

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF18N65_001

Қоршаған бөлік: 2409

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF16N50_001

Қоршаған бөлік: 2425

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF14N50_002

Қоршаған бөлік: 2433

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF12N50_007

Қоршаған бөлік: 2390

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF12N50_001

Қоршаған бөлік: 2400

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF11S60_900

Қоршаған бөлік: 2420

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide),

AOD3N50_003

Қоршаған бөлік: 2362

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.5A, 10V,

AOD2N100M

Қоршаған бөлік: 2357

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide),

AOD3N50_002

Қоршаған бөлік: 2379

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.5A, 10V,

AO6405_102

Қоршаған бөлік: 6321

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 5A, 10V,

AO6405_101

Қоршаған бөлік: 2389

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 5A, 10V,

AO6402A_201

Қоршаған бөлік: 2354

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.5A, 10V,

AO3416L

Қоршаған бөлік: 2332

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V,

AON7410L_105

Қоршаған бөлік: 2334

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), 20A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V,

AON7430L

Қоршаған бөлік: 2351

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), 20A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 20A, 10V,

AON7410L

Қоршаған бөлік: 2369

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), 20A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V,

AON7408L

Қоршаған бөлік: 2366

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Ta), 20A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 9A, 10V,

AON7406L

Қоршаған бөлік: 2402

AON7403L

Қоршаған бөлік: 2348

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), 20A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8A, 10V,

AON6452L

Қоршаған бөлік: 5641

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Ta), 26A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 20A, 10V,

AON7401L

Қоршаған бөлік: 5685

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), 20A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9A, 20V,

AON6448L_001

Қоршаған бөлік: 2394

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 80V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), 65A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 10A, 10V,