Технология: Hall Effect, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: I²C, Зондты сезу: 4.7mT ~ 5.2mT, Кернеу - жабдықтау: 1.65V ~ 1.95V, Ағым - жабдықтау (максимум): 4mA,
Технология: Hall Effect, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: I²C, SPI, Зондты сезу: 4.7mT ~ 5.2mT, Кернеу - жабдықтау: 1.7V ~ 3.6V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Hall Effect, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: I²C, SPI, Зондты сезу: ±4.9mT, Кернеу - жабдықтау: 1.7V ~ 3.6V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Hall Effect, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: I²C, Зондты сезу: ±300mT, Кернеу - жабдықтау: 2.5V ~ 3.6V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Hall Effect, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: I²C, Зондты сезу: ±4.9mT, Кернеу - жабдықтау: 2.4V ~ 3.6V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Hall Effect, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: I²C, SPI, Зондты сезу: ±4.9mT, Кернеу - жабдықтау: 2.4V ~ 3.6V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Hall Effect, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: I²C, Зондты сезу: ±4.9mT, Кернеу - жабдықтау: 1.65V ~ 1.95V, Ағым - жабдықтау (максимум): 4mA,
Технология: Hall Effect, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: I²C, SPI, Зондты сезу: ±36mT, Кернеу - жабдықтау: 1.7V ~ 3.6V,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Кернеу - жабдықтау: 2V, Ағым - жабдықтау (максимум): 20mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Ағым - жабдықтау (максимум): 20mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Кернеу - жабдықтау: 8V,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: 15mT ~ 150mT, Кернеу - жабдықтау: 2.7V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 7.5mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Кернеу - жабдықтау: 3V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 12mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Кернеу - жабдықтау: 10V,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Кернеу - жабдықтау: 12V,