Оптикалық сенсорлар - Фотоинтертерлер - Ұяшық түрі

OPB880P55

Қоршаған бөлік: 5955

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPB890N11Z

Қоршаған бөлік: 18161

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPB892T51Z

Қоршаған бөлік: 6061

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPB845B

Қоршаған бөлік: 6016

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPB817

Қоршаған бөлік: 6067

Қашықтықты сезу: 0.200" (5.08mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPB871L51TX

Қоршаған бөлік: 378

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPB365T51

Қоршаған бөлік: 5933

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPB870P55TXV

Қоршаған бөлік: 339

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPB881P51Z

Қоршаған бөлік: 9672

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPB830W51

Қоршаған бөлік: 6055

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPB390P11

Қоршаған бөлік: 6128

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPB882N55Z

Қоршаған бөлік: 6007

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPS666

Қоршаған бөлік: 62155

Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100µA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPB861L51

Қоршаған бөлік: 6083

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

HOA1877-002

Қоршаған бөлік: 6018

Қашықтықты сезу: 0.375" (9.52mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

HOA1887-011

Қоршаған бөлік: 7834

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

HOA0865-T51

Қоршаған бөлік: 19418

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Transistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

HOA0880-T51

Қоршаған бөлік: 8502

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Transistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

HOA1885-013

Қоршаған бөлік: 21899

Қашықтықты сезу: 0.200" (5.08mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Photodarlington, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

HOA0860-N51

Қоршаған бөлік: 22855

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Transistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

HOA0882-L55

Қоршаған бөлік: 7696

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Transistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

PM-L44-C3

Қоршаған бөлік: 6068

Қашықтықты сезу: 0.197" (5mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 15mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

PM-Y44P

Қоршаған бөлік: 6040

Қашықтықты сезу: 0.197" (5mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 15mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

PM-F44

Қоршаған бөлік: 3411

Қашықтықты сезу: 0.197" (5mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 15mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

PM-F44P

Қоршаған бөлік: 3412

Қашықтықты сезу: 0.197" (5mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 15mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

PM-K64P

Қоршаған бөлік: 9667

Қашықтықты сезу: 0.197" (5mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 15mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

QVB21213

Қоршаған бөлік: 5918

QVB21113

Қоршаған бөлік: 5998

CNY36

Қоршаған бөлік: 5949

Қашықтықты сезу: 0.118" (3mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 60mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

QVB11334

Қоршаған бөлік: 6060

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 40mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

QVA11123

Қоршаған бөлік: 6016

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

EE-SX913-C1J-R 0.3M

Қоршаған бөлік: 5978

Қашықтықты сезу: 0.197" (5mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: NPN - Open Collector,

WF80-60B416

Қоршаған бөлік: 110

Қашықтықты сезу: 3.150" (80mm), Зерттеу әдісі: Optical Flag, Шығыс конфигурациясы: PNP/NPN,

RPI-0125

Қоршаған бөлік: 6065

Қашықтықты сезу: 0.047" (1.2mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

EE-SX1131-1

Қоршаған бөлік: 5995

Қашықтықты сезу: 0.079" (2mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: 2 NPN, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 25mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 20V,

GP1S59

Қоршаған бөлік: 6127

Қашықтықты сезу: 0.165" (4.2mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V,