Басу | Суреттеме |
Бөлімнің күйі | Obsolete |
---|---|
FET түрі | N-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 60V |
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 50µA |
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 30V |
FET ерекшелігі | - |
Қуатты бөлу (максимум) | 100W (Tc) |
Жұмыс температурасы | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Монтаж түрі | Surface Mount |
Жабдықтаушының құрылғы пакеті | PG-TO252-3 |
Пакет / Корпус | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
---|---|
Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
Қор санаты | Қол жетімді қор |